Development of GaN-based materials and optoelectronic devices on silicon substrate

来源 :中国物理学会2012年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wumin6230

【摘要】

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【作者】

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Baijun Zhang Guoheng Hu Gangwei Hu Yang Liu

【机构】

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State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies Sun Yat-sen University, Guangzhou

【出处】

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中国物理学会2012年秋季学术会议

【发表日期】

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2012年9期

【关键词】

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Gallium nitride thermal mismatch stress light‐emitting diodes

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Ⅲ-Nitride semiconductor is a fantastic family system,composed of binary (AlN,GaN,InN),Ternary (InAlN,AlGaN and InGaN) and quaternary (InAlGaN) materials.Due to their excellent physical properties,the scope of applications of this material system may cover very wide range from optoelectronic devices to electronic devices and solar cells.

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