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对ATMEL公司生产的三种EEPROM开展了钴源总剂量效应实验研究,对效应现象进行了分析.三种EEPROM的总剂量损伤模式一致,首先出现写功能失效,随着总剂量的增加,再发生存储数据翻转,最后出现读功能失效.给出了三种EEPROM的总剂量损伤阈值.
EEPROM累积辐射损伤模式分析
【摘 要】
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对ATMEL公司生产的三种EEPROM开展了钴源总剂量效应实验研究,对效应现象进行了分析.三种EEPROM的总剂量损伤模式一致,首先出现写功能失效,随着总剂量的增加,再发生存储数据翻
【机 构】
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西北核技术研究所 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,陕西西安710024
【出 处】
：
第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)
【发表日期】
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2014年期
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