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本文研究了总剂量效应对Silicon-on-Insulator(SOI)技术下的N型metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistors(MOSFETs)器件阈值电压的影响.通过亚阈值分离技术将引起阈值电压漂移的因子分解为:陷阱氧化物电荷和界面态,分析说明这两个因子对阈值电压漂移的影响随辐照剂量的变化情况.分析研究了不同辐射剂量率条件下,辐照总剂量对阈值电压的影响.通过对于界面态影响的定量分析说明低剂量率下,阈值电压漂移更为显著.