掺杂浓度对a-Si:H薄膜低温铝诱导晶化的影响

来源 :中国第六届光伏会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lonlychanging

【摘要】

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本文报道一种新的多晶硅(Poly-Si)薄膜材料制备方法-AIC法,研究寝材料的掺杂浓度对晶化效果的影响.结果证明:在250℃下可以在玻璃基底上生长出具有较大晶粒尺寸的薄膜Poly-Si

【作者】

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天津运输工程学院基础部于振瑞 Yasuhiro Matsumoto

【机构】

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南开大学光电子研究所(天津)

【出处】

：

中国第六届光伏会议

【发表日期】

：

2000年期

【关键词】

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掺杂浓度薄膜材料铝诱导晶化晶粒尺寸制备方法电学性能玻璃基底迁移率多晶硅电阻率证明

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本文报道一种新的多晶硅(Poly-Si)薄膜材料制备方法-AIC法,研究寝材料的掺杂浓度对晶化效果的影响.结果证明:在250℃下可以在玻璃基底上生长出具有较大晶粒尺寸的薄膜Poly-Si材料,材料具有较好的电学性能.初始材料的掺杂浓度(B)对晶化效果有较大的影响:随着掺杂浓度的增加,晶粒尺寸、电阻率及迁移率均减小.

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