论文部分内容阅读
该文提出了高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)的设计方法,根据国内现有工艺水平,设计了1700V/100A.高压大电流的NPT-IGBT。击穿电压达1 800 V以上,栅发射极漏电流小于80 nA、关断时间小于800 ns、关断功耗小于30mJ,都达到设计要求。导通压降3.5V(略高),可通过增大芯片尺寸的方法加以改进(与国外同类产品相比,目前芯片尺寸偏小)。