【摘 要】
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对肖特基势垒输运特性的调控是构筑和发展基于肖特基势垒的新型纳米光电子器件的基础.我们以ZnO粉末和碳粉为原料,利用VLS生长机制[1],合成高纯的ZnO纳米带,并通过场发射
【机 构】
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河南大学特种功能材料重点实验室,河南开封,475004
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对肖特基势垒输运特性的调控是构筑和发展基于肖特基势垒的新型纳米光电子器件的基础.我们以ZnO粉末和碳粉为原料,利用VLS生长机制[1],合成高纯的ZnO纳米带,并通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)对其进行表征.所制备的ZnO纳米带为纤锌矿结构,长度约15 μm,宽度约200 nm,沿(0001)方向生长.ZnO纳米带采用电子束刻蚀(EBL)和电场组装[2]的方法制备成两电极器件.本课题在极低温下引入磁场,通过磁场和电场的共同作用来影响肖特基势垒出电子的输运状态从而来调控肖特基势垒结构,探索在纳米尺度下新奇的物理现象和独特的传输机理.
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