【摘 要】
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为研究CMOS有源像素传感器的质子辐照损伤效应,对某国产0.5μm工艺制造的CMOS有源像素传感器进行了10MeV质子辐照试验.当辐照注量达到预定注量点时,采用离线的测试方法,定量测试了器件暗信号的变化情况.试验结果表明：随着辐照注量的增加暗信号迅速增大.在退火试验的基础上,结合器件结构和工艺参数,分离了质子辐照器件引起的电离效应和位移效应,深入分析了器件暗信号的退化机理.研究结果表明暗信号的退化
【机 构】
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中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐市北京南路40-1号,830011 重庆光电技术研究所,
【出 处】
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第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)
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为研究CMOS有源像素传感器的质子辐照损伤效应,对某国产0.5μm工艺制造的CMOS有源像素传感器进行了10MeV质子辐照试验.当辐照注量达到预定注量点时,采用离线的测试方法,定量测试了器件暗信号的变化情况.试验结果表明：随着辐照注量的增加暗信号迅速增大.在退火试验的基础上,结合器件结构和工艺参数,分离了质子辐照器件引起的电离效应和位移效应,深入分析了器件暗信号的退化机理.研究结果表明暗信号的退化既有电离效应导致的表面暗信号增大又有位移效应诱发的体暗信号增大,对该国产器件而言,质子辐照产生的电离效应和位移效应对器件暗信号退化的贡献基本相当.
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