半导体器件相关论文
分析UIS失效的发生机理,提出了改善UIS性能的三个方面,避免产生极端电场强度、避免缺陷产生电流聚集效应、合适的沟槽深度保证char......
数字全息术（Digital holography,DH）是一种能够动态、定量、非接触、全场、高精度地获取原始物光波复振幅分布的干涉测量技术,被广泛......
近些年来,随着5G、人工智能等电子科学技术的进步,半导体器件不断向智能化、高精密、高集成、高可靠方向发展。以航空航天以及雷达......
众所周知,应用于如今5G、物联网、大数据分析、云计算、人工智能等新一代信息技术领域的硅基及宽禁带半导体器件（或芯片）,乃是大国重......
低维半导体材料因具有独特的结构与物理性质,使其在光电探测器、激光二极管、气体传感、场效应晶体管（FET）、太阳能电池等领域都有着......
以加深学生对半导体器件性能知识的理解和掌握为目的 ,设计并开发了适用于本科实验教学的“MOS(Matal-Oxide-Semiconductor)静态参......
以暨南大学微电子学院“半导体器件基础”课程思政的教学改革为契机,基于课程的内在特点和“五元联动、全程贯通”课程思政模式,以......
针对国内半导体检测机构老炼试验大规模依赖于人工的现状,研制了一种基于TCP/IP网络的分布式半导体器件老炼试验电源监视系统,介绍......
本文提出了一种利用无机酸氧化无形貌改变的硅基亲水化处理和清洗方法。研究了传统的清洗方法和无机酸氧化清洗方法对硅基的清洗效......
本工作从实验测量、模拟计算、理论分析几方面研究半导体器件的在不同脉冲宽度下的辐射损伤规律.对三种半导体器件进行了不同脉冲......
介绍了基于有机空穴传输材料(PEDOT:PSS)的器件研究，基于无机空穴传输材料(Cu∶NiOx)的器件研究，反式(倒置)p-i-n结构钙钛矿太阳能电......
器件建模与模拟在半导体器件结构设计和优化过程中发挥着举足轻重的作用.Poisson方程作为载流子电学行为遵从的基本方程之一,其快......
本文简要介绍DSP在BXT2931系列半导体参数测试仪的控制和微尺度器件参数分析方面的应用，包括DSP子系统硬件设计和控制软件设计，以及......
塑封器件在回流焊接过程中会发生塑封材料与内部芯片、框架、键合丝的界面脱离形成空洞,在使用中容易导致外界的水气入侵,影响器件......
本文在分析IEGT结构特点和工作原理的基础上,建立了IEGT的结构模型,并利用MEDICI软件对其I-V特性、阻断特性、通态特性及开关特性......
半绝缘多晶硅(SIPOS)膜作为半导体器件的表面钝化膜质量好,性能优.本文对LPCVD法制备的SIPOS膜进行了分析.结果表明,掺氧SIPOS膜的......
基于对序进应力加速寿命试验的研究,提出了一种快速确定半导体器件失效率及寿命分布的新方法.新方法将序进应力加速试验应用于失效......
本文基于国产2英寸AlGaN/GaN材料,对2英寸AlGaN/GaN HEMT工艺进行了研究,成功地开发出成套2英寸AlGaN/GaN HEMT功率器件工艺.其关......
随着大规模集成化芯片上的器件尺寸微型化,为解决微小尺度的各种功能器件关键参数的直接提取及建立一种在线的综合检测与分析技术,......
抗Y射线瞬时辐射能力是考核光电器件可靠性的重要指标之一。在“强光一号”加速器上对少量超辐射发光二极管(SLD)进行了瞬时电离辐......
在碳化硅(SiC)器件制造技术中干法刻蚀是一个不可逆的关键工艺,刻蚀条件的变化造成SiC表面的粗糙度也出现明显不同。而对SiC的感应......
使用电学方法测量半导体器件的结温分布，几十年来一直是微电子领域的一个世界性的科教难题。本文提出了一种崭新的测量器件结温分布......
基于Ⅲ、Ⅴ族化合物半导体器件在照明、生化探测、非视距通讯及特种照明等领域有着广阔的应用前景,近年来受到越来越多的关注和重......
宇航半导体器件运行在一个复杂的辐射空间环境中,质子是空间中各种射线的主要组成部分,因而质子对半导体器件的辐射效应研究一直受......
目前国内外应用热管技术的领域在不断扩大。在电子工业部作电子管、半导体、集成电路，整机冷却以及恒温腔等，在这方面也进行了研制和......
本文主要就氮化硼带晶体作为为半导体材料和光电子材料这两方面进行了介绍。虽然cBN和hBN具有广阔的应用前景，但是要使前景变为现实......
本文从热载流子效应引起器件特性退化角度出发,对几种不同沟长n沟MOSFET的主要特性参数(线性区最大跨导)在直流电应力下的退化特性......
本文重点论述了微电子器件在整个制造工艺中锈生的缺陷对器件质量和可靠性的影响,并介绍了国内外厂、所对工艺环境及工艺缺陷的控......
本文以半导体器件用硅铝丝、双极数字集成电路用的电阻和金属外壳中的玻璃绝缘子设计为例,介绍如何在设计时就考虑制造、使用等可......
随着工艺的进步,器件尺寸的不断缩小,PMOSFET受NBTI(Negative Bias Temperature Instability)效应影响而失效的现象愈发严重,NBTI......
在产品工作条件下由于周期性的温度变化而导致的焊点蠕变疲劳失效是封装器件所面临的关键问题,考虑到时间和经济性等方面的原因,基......
QFN封装作为一种新兴的封装技术,得到越来越广泛地应用。本文针对QFN封装的特点,结合组装工艺过程中需要关注的焊盘与印刷网板的具......
本文首先综述了各种晶闸管的二十年的发展和电力电子学的形成过程,然后研究了微电子和电力电子的进一步结合,功率半导体器件的芯片......
IGBT是在上世纪90年代处在功率MOSFET的基础上发展起来的.十多年来,IGBT迅速成长,并成熟为当代最具有竞争力的电力半导体器件之一.......
长期以来,国内全控功率桥的导通监视问题一直未能得到有效解决,本文根据半导体器件理论和工程实践经验,提出了一种基于霍尔器件的......
本文采用不同的注N剂量、不同的工艺制备了氧氮共注形成SOI(SIMON)材料.采用二次离子质谱(SIMS)分析了材料退火之后的离子分布,结......
表面安装技术（ＳＭＴ）是最新一代电子装联技术，该技术已经广泛地应用于各个领域的电子装联中，该文从ＳＭＴ线体和ＳＭＴ相关设备两个方面，简单地介绍ＳＭＴ这一革......
会议
略述半导体器件塑封模具的结构及其在器件生产中的重要性.模具镶件是塑封模质量的集中体现,介绍了对镶件的技术要求及当今常用材料......
美国Quad公司研制的先进封装系统产品,不仅可处理全部表面安装器件,而且还能处理先进封装BGA等最新的半导体器件及芯片,本文就ASP-......
现代应用需求使半导体器件向高频高速方向发展,PHEMT以其高频高速低噪声受到人们重视而发展迅速.在PHEMT的制作工艺中,栅线条的制......
本文对于VDMOS漂移区中由泊松方程得到的解析解,通过进行一些近似处理,将其由一个关于电场的隐含表达式转化为近似的电场的显式表......
该系统运用一种新的数据处理运算概念,即比例差值算符,揭示了元器件的另一种本征特性-比例差值特性.提供的统一用户接口便于用户实......
本文研究了用金属有机物气相外延(MOVPE)方法在GaAs(001)衬底上生长的立方相GaN(c-GaN)外延层的光辅助湿法腐蚀特性,并和生长在蓝......
介绍一种制作无铬光刻掩模的简易方法,即用光刻胶膜层直接作为掩蔽层在透明基片上制作光刻掩模.其基本原理是利用光刻胶对不同波长......
本文系统研究了离子注入n-GaAs材料的欧姆接触性质.采用非相干光快速合金化方法实现了AuGeNi/Au与Si注入掺杂n-GaAs之间性能良好的......
本文对欧姆接触的基本原理进行了简要的阐述;并对Au/Ti/W/Ti多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触进行了研究.结果表明接触在高温合金化......
