【摘 要】
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采用二维数值仿真工具对带刻蚀型结终端扩展(JTE)的4H-SiC结势垒控制肖特基二极管(JBS)进行研究,研究了单步和多步JTE对器件反向阻断电压和击穿时器件电势分布的影响.仿真结
【机 构】
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电子薄膜与集成器件国家重点实验室电子科技大学成都610054
【出 处】
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四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会
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采用二维数值仿真工具对带刻蚀型结终端扩展(JTE)的4H-SiC结势垒控制肖特基二极管(JBS)进行研究,研究了单步和多步JTE对器件反向阻断电压和击穿时器件电势分布的影响.仿真结果表明,多步刻蚀JTE对器件电势分布的调剂更有效,相对于单步刻蚀JTE能较大地提高器件的反向阻断性能.同时,我们还研究了单步JTE中刻蚀深度和宽度对器件阻断特性的影响,研究结果表明,器件的击穿电压由JTE边缘处和刻蚀边缘处的电场尖峰共同决定,也即是器件在电场尖峰最大处击穿.在器件的优化时要同时考虑这二者,使击穿电压达到最大.
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