结终端扩展相关论文
作为第三代宽禁带半导体材料的碳化硅（SiC）具有高临界电场、高热导率等特性，以此材料制作成的PIN功率二极管器件可以满足高速轨道交通......
碳化硅(SiC)功率开关高速和高功率的特点,使其在脉冲功率系统中面临着比硅(Si)器件更严苛的高dV/dt可靠性问题.实验发现高dV/dt应......
采用二维数值仿真工具对带刻蚀型结终端扩展(JTE)的4H-SiC结势垒控制肖特基二极管(JBS)进行研究,研究了单步和多步JTE对器件反向阻......
采用边界元法对非穿通情况ＦＰＪＴＥ结构的特性进行了分析计算，发现击穿电压与注入剂量及界面电荷呈线性关系，场板对界面电荷敏感性有抑制作......
在功率器件的实际制作过程中,由于扩散而在PN结边缘产生的结弯曲,功率器件的实际耐压远小于设计的理想电压值,因此需要结终端技术......
现代脉冲功率技术对于开关的要求越来越高,作为宽禁带半导体的典型代表,碳化硅(SiC)具有宽禁带高临界场强高热导率等优势。漂移阶......
垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管（Vertical Double-diffused Metab-Oxide-Semieonductor Field Transistor，VDMOS）是由Pbody与外延......
采用高真空电子束热蒸发金属Ni分别作肖特基接触和欧姆接触，离子注入形成结终端扩展表面保护，研制出Ni／4H—SiC肖特基势垒二极管（SBD）。......
提出了一种无须进行电离积分的用于高压结终端模拟的边界元素法，分析了下ＦＰ－ＪＴＥ终端结构中扩展区注入剂量对击穿电压的影响，结果表明击穿电......
结终端技术能提高4 H-SiC肖特基势垒二极管器件的耐压性能.利用仿真软件ISE-TCAD10.0对具有结终端扩展JTE保护的4 H-SiC SBD器件进......
利用二维器件模拟软件ISE-TCAD 10.0,对结终端采用结扩展保护技术的4H-SiC PiN二极管平面器件进行反向耐压特性的模拟,并获得许多......
为了提高芯片面积利用率,采用单区结终端扩展（JTE）与复合场板技术设计了一款700 V VDMOS的终端结构。借助Sentaurus TCAD仿真软件,研......
在现代的电力电子系统中IGBT（Insulate-gated Bipolar Transistor）常常需要与反向并联的快恢复二极管（Fast Recovery Diode，简称为FRD）......
功率MOSFET器件作为能源管理的核心控制单元,由于具有良好的电学特性和低廉的成本,因而广泛应用在汽车电子、消费电子以及航空航天......
通过理论计算,优化了外延层厚度和掺杂浓度,对影响击穿电压的相关结构参数进行设计,探讨了VDMOSFET的终端结构。讨论了场限环和结......
高压VDMOS器件需要借助终端结构来缓解结弯曲引起的曲率效应。在VDMOS器件设计中,高击穿电压、短终端长度、低漏电流和低表面电场......
碳化硅(Silicon Carbide,SiC)材料因其禁带宽度大、高临界击穿电场、高热导率和电子饱和漂移速度大等优越的电学和物理特性,在高温......
4H-SiC材料具有禁带宽度大、临界击穿电场高、热导率高和电子饱和漂移速度高的优越物理化学特性,适合制作高压、大功率、抗辐照、......
