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文中研究了超导勾型磁场下大直径直拉硅单晶的生长,采用NbTi/Cu合金低温超导磁体,向硅熔体所在空间引入Cusp磁场.当坩埚边缘磁感应强度达到0.15T时,熔硅中杂质输运受扩散控制.在熔硅自由表面观察到明显的Marangoni对流,通过控制磁场强度及磁场“0”面控制Marangoni对流,可控制硅单晶中的氧浓度.