论文部分内容阅读
制作高性能HBT的关键之一是获得界面质量优良的半导体超薄异质结构材料,分子束外延是生长HBT微结构材料的最先进技术之一.本文报道了GSMBE技术生长In<,0.49>Ga<,0.51>P/GaAs HBT微结构材料及其原型器件研究.
GSMBE生长InGaP/GaAs HBT微结构材料研究
【摘 要】
：
制作高性能HBT的关键之一是获得界面质量优良的半导体超薄异质结构材料,分子束外延是生长HBT微结构材料的最先进技术之一.本文报道了GSMBE技术生长InGaP/GaAs HBT微结构材料及其原型器件研究.
【机 构】
：
中国科学院信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海冶金研究所(上海)
【出 处】
：
第六届全国分子束外延学术会议
【发表日期】
：
2001年6期
其他文献
针对分布式仿真中所存在的一些问题,采用并行计算模型来分析分布式仿真系统的并行设计,讨论了仿真系统的并行性描述模型。在现有的几种并行计算模型中,根据并行计算模型和分布式仿真系统的特点,选择BSP(Bulk Synchronous Paralle1)模型来描述了仿真中的并行性。
本文介绍了利用最近设计完成的冷壁式不锈钢超高真空MBE生长系统,结合MBE和CVD两种生长技术的特点,在2英寸的Si(100)和Si(111)衬底上外延生长出了高取向无坑洞的晶态3C-SiC外延材料,获得了制备无坑洞3C-SiC的最佳工艺条件.
为了提高SiC在蓝宝石衬底上的成核率和附着力,采用了蓝宝在衬底表面氮化技术,成功地获得了厚度为6.5um,且无剥落现象的单晶3C-SiC外延膜.
本文介绍了在改造过的国产MBE设备上使用NH作氮源,采用GS MBE分法在(00001)AlO衬底上生长出了高质量的GaN单晶外延膜.
我们用MBE生长了低组分InGaAs/GaAs量子点(x=0.3和0.5),反射高能电子衍射仪(RHEED)显示了良好的2×4再构向三维生长的点状图象转化的过程.同时,原子力显微镜(AFM)实验表明,确实形成了低组分InGaAs/GaAs量子点,其点密度在10数量级范围内.
本文报导了用固态源分子束外延生长的脊波导2μm AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器.
本文报道了对GaAs基InAlAs量子点材料的MBE生长和材料物理性质的研究结果,以及在此基础上研制的红光量子点激光器的工作.