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该文介绍了最新研制的１２８×１２８阵列ＭＡＭＡ器件。该器件采用了叠合式阵列阳极、三块微通道板及近贴取焦等先进技术，脉冲上升时间为０．３ｎｓ、单光子计数率为２×１０〈’５〉／Ｓ等器件的主要性能参数达到了国外同类产品水平。
128×128阵列MAMA器件
【摘 要】
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该文介绍了最新研制的１２８×１２８阵列ＭＡＭＡ器件。该器件采用了叠合式阵列阳极、三块微通道板及近贴取焦等先进技术，脉冲上升时间为０．３ｎｓ、单光子计数率为２×１０〈’５〉／Ｓ等器件的主要性能参数达到了国外
【机 构】
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电子器件研究所(南京)
【出 处】
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中国电子学会真空电子学分会第十二届学术年会
【发表日期】
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1999年9期
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