【摘 要】
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本文对AIGaN/GaN HEMT进行了瞬态仿真和分析，用于研究陷阱效应导致的电流崩塌现象，考虑了陷阱和热效应的耦合影响。结果显示，除了表面陷阱以外，受主型体陷阱也会影响A1GaN/GaN HE
【机 构】
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专用集成电路重点实验室,石家庄 050051
【出 处】
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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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本文对AIGaN/GaN HEMT进行了瞬态仿真和分析，用于研究陷阱效应导致的电流崩塌现象，考虑了陷阱和热效应的耦合影响。结果显示，除了表面陷阱以外，受主型体陷阱也会影响A1GaN/GaN HEMT的栅延迟瞬态特性，而且热效应会加速陷阱释放被捕获的电子。脉冲瞬态仿真在分析动态电流崩塌非常有意义，本工作将为研究人员进一步开展GaN基器件建模和可靠性分析工作提供参考。
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