HEMT相关论文
随着半导体与移动通信技术的飞速发展,高电子迁移率晶体管（HEMT）因其具有击穿电压高、高频性能优异以及耐高温等优点,被广泛地应用于......
本论文主要研究了影响铁电场效应晶体管与负电容场效应晶体管电学性能的因素,以及ε-Ga2O3对铁电场效应晶体管与负电容场效应晶体......
近几年,5G无线通信技术已越发热门,无线通信的技术会与每个人息息相关,这导致的结果必然是射频微波设备的快速增长,而发射机和接收......
磁场传感器种类繁多,研究工作者们一直都在追求性能优越的磁场传感器,其中具有高性能、小型化、低功耗、低成本发展潜力的传感器类......
Ⅲ族氮化物半导体材料由于其大的禁带宽度、高电子饱和速度、耐高温、耐击穿和抗辐射等优异的物理化学特性,在高温、高频、大功率......
太赫兹（THz）波因其在通信、成像和生物等方面的应用价值而引起了多方的关注。受馈源功率、大气衰减、天线增益等限制,太赫兹成像系统......
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料,具有高击穿场强、高电子迁移率以及较强的抗辐射能力和良好的导热性能等优点受到人们的广泛关注......
血糖对人体健康非常重要。急性低血糖会危及生命，高血糖会出现多种并发症，对人体的许多器官会有严重的损害。因全球迅猛增加的糖尿病......
成功研制出蓝宝石衬底的槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT.栅长1.2μm,源漏间距4μm,槽深15nm的器件在3V栅压下饱和电流达到332mA/mm,最大......
N极性GaN材料借助与传统Ga极性GaN极性相反这一特征,以低接触电阻、高2DEG限阈性,在高频、大功率微波晶体管、增强型器件及传感器......
针对氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件自热效应以及电流崩塌效应导致器件性能退化和失效的问题,研究了通过合理改变器件参......
作为第三代半导体材料的代表,GaN具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子迁移率等优点,因此GaN功率器件被广泛应用于高频、高功率密度......
近年来,第三代半导体材料Ga N凭借其禁带宽度大、击穿场强大等优异的材料特性在电力电子等领域中应用广泛。其中,Al Ga N/Ga N异质......
学位
Ⅲ族氮化物属第三代半导体材料,具有禁带宽度大、电子饱和速度高、且耐高温、耐高压、抗辐射等优良特性,是制备电力电子器件的理想......
Performance analysis of GaN-based high-electron-mobility transistors with postpassivation plasma tre
AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors(HEMTs)with postpassivation plasma treatment are demonstrated and investigat......
对GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)器件进行了0.8和1.2 MeV电子束的辐照效应研究。结果表明,0.8 MeV电子束对器件损......
In this paper,drain current transient characteristics of β-Ga2O3 high electron mobility transistor (HEMT) are studied t......
微纳机电系统(M/NEMS)发展的目标在于提高微型化、集成化、探索新原理、新功能的器件和系统,开辟一个新技术领域和产业。基于MEMS......
叙述了AlGaN/GaNHEMT的特点及制造工艺,给出其测试结果,最大跨导～157ms/mm,由S参数测量推出器件的截止频率fT和最高振荡频率fmax分......
本文用HEMT小信号等效电路模型 ,考虑到HEMT与MESFET结构上的不同点 ,具体分析了HEMT小信号等效电路中串联电阻、寄生电感、寄生电......
介绍rn华达微波科技有限公司Ka系列低噪声放大器是专门设计的卫星地球站的接收前端,也可以作为其他通讯系统的接收前端.可以用于固......
高电子迁移率晶体管（ HEMT）噪声低、电子迁移率高、功耗低、增益高其作为高频半导体器件的一种，对其的研究早已成为热门，并且已取得很......
针对常规AlGaN/GaN RESURF高电子迁移率晶体管(HEMT)中由于沟道电场分布不均匀而导致击穿电压过低的问题,提出一种带背电极的新型A......
利用数值计算的方法研究了InP基高电子迁移率晶体管(HEMT)中沟道厚度对沟道中二维电子气(2DEG)性质的影响,并对产生这种影响的原因......
高电子迁移率晶体管(HEMTs),是以异质结材料为基础而制造的器件.与传统的MESFET器件相比,HEMTs具有高跨导、高饱和电流以及高截止......
本文介绍了国内外太赫兹空间调制器的研究背景,阐述了太赫兹空间调制器的研究意义及应用前景.介绍了基于人工微结构阵列的太赫兹空......
利用内匹配和功率合成技术设计了X波段AlGaN/GaN HEMT功率合成放大器。电路包含有四个AlGaN/GaNHEMT和制作在Al2O3陶瓷基片上的输......
研究了一种新型GaN基HEMT结构,即InAlN/AlN/GaN异质结层结构,并对其直流特性以及频率特性进行了仿真。通过理论分析,结合TCAD软件,......
用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为1035cm2/(V·s),二维电子气浓度为1.0×1013cm-2,77K迁移率为2653cm2/(V·s),二维电子......
采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同Al组分(x=0.19,0.22,0.25,0.32)的Al x Ga1-x N/AlN/GaN结构的高电子迁移率......
MOCVD技术在蓝宝石衬底上制备出具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN/GaN HEMT材料.高迁移率GaN外延层的室温迁移率达741cm2/(V·s),相应......
用MOCVD技术在高阻6H-SiC衬底上研制出了具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构材料,其室温和80K时......
对RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管进行了设计和研制.测量结果表明:最大电流峰谷比为17.6∶1,栅压对峰值电压调控能力在1.5～7.7范围内......
对不同掺杂浓度AlGaN/GaN HEMTs施加直流偏置应力,研究掺杂AlGaN/GaN HEMTs电流崩塌效应.实验表明,掺杂AlGaN势垒层对器件电流崩塌......
基于GaN HEMT器件实验测试结果,提出了一种GaN电流崩塌效应产生的新观点.大量测试分析发现,脉冲条件下,漏极电流比直流时减小大约5......
文章基于高电子迁移率晶体管,采用全微带匹配技术,设计并制作了一种用于某预警雷达接收前端的小型化超低噪声波导低噪声放大器。使......
AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) structures were grown on 2 inch sapphire substrates by MOCVD, and 0.8......
期刊
Teledyne e2v Hi Rel为其基于Ga N Systems技术的650伏行业领先高功率产品系列新增两款耐用型Ga N功率HEMT(高电子迁移率晶体管)。......
就蓝宝石衬底上制备的A1GaN/GaN场板(field plate)HEMT器件、常规HEMT器件性能进行了分析对比.结果证明两种结构的器件直流参数变......
基于电荷控制原理建立了辐射感生AlmGa1-mN势垒层应力弛豫对AlmGa1-mN/GaN HEMTs器件电学特性影响的解析模型,并进行了仿真分析.结......
The paper different aspects of MBE growth of nitride-based high electron mobility transistor (HEMT) and dilute-nitride, ......
为提高全桥LLC谐振变换器交错并联(FBLLC-SP)系统的效率,且使其理论损耗与实际运行损耗更贴近,对比Cascode型GaN HEMT向系统引入单......
GaN HEMT器件由于其击穿场强高、导通电阻低等优越的性能,在高效、高频功率转换领域中有着广泛的应用前景。栅驱动芯片对于GaN HEM......
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件由于其击穿场强高、导通电阻低等优越的性能,在高达650 V额定电压等级的高效、高频转换器中有着......
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件具有工作频率高、导通损耗小等优点,已经开始广泛应用在多种高频、高效功率转换器中,而拥有更高......
