【摘 要】
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硅作为一种工艺成熟的半导体材料,为电子学的发展作出了巨大的贡献,但信息技术的兴起使人们想到若把硅基电子学与光子学相结合,必将引发Si基集成电路和光电子技术的革命.在本
【出 处】
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第四届中国功能材料及其应用学术会议
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硅作为一种工艺成熟的半导体材料,为电子学的发展作出了巨大的贡献,但信息技术的兴起使人们想到若把硅基电子学与光子学相结合,必将引发Si基集成电路和光电子技术的革命.在本文中,我们用低压有机金属化学气相沉积(MOCVD)方法在ZnO覆盖Si(100)衬底上处延生长了ZnCdTe-ZnTe量子阱结构,并与直接在Si(100)衬底上生长的同一结构进行了比较,通过对它们表面形貌及发光光谱的比较,我们发现,有ZnO覆盖层时,处延层的表面裂纹消失,并且发光效率明显提高.所以,我们认为ZnO的存在有助于ZnCdTe-ZnTe量子阱结构质量的提高.
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