【摘 要】
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利用现今较为成熟的GaAs PHEMT材料及其标准工艺和集成电路的设计技术,研制开发了一种移动通信用的GaAs MMIC单刀双掷大功率高线性开关集成电路,具有承受功率大,线性度高的特
【机 构】
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南京电子器件研究所,南京,210016
【出 处】
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2006年中国通信集成电路技术与应用研讨会
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利用现今较为成熟的GaAs PHEMT材料及其标准工艺和集成电路的设计技术,研制开发了一种移动通信用的GaAs MMIC单刀双掷大功率高线性开关集成电路,具有承受功率大,线性度高的特点,在1GHz,插损为0.6dB,隔离度大于28dB,在2GHz,插损为0.7dB,隔离度大于20dB,并且具有较高的功率处理能力,其P-0.1≥10W.产品由GaAs圆片标准PHEMT工艺线加工,采用低费通用塑料封装,封装形式SOIC-8,其性能指标达到国外同类产品水平.
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