【摘 要】
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文章用FTIR和金相显微镜研究了快中子辐照对直拉硅氧化诱生缺陷的影响.快中子辐照直拉硅经两步退火后体内产生了大量氧沉淀诱生体层错、位错以及位错环.在500～700℃低温预退火
【机 构】
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河北工业大学材料学院,天津,300130中国原子能科学研究院,北京,102413
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文章用FTIR和金相显微镜研究了快中子辐照对直拉硅氧化诱生缺陷的影响.快中子辐照直拉硅经两步退火后体内产生了大量氧沉淀诱生体层错、位错以及位错环.在500～700℃低温预退火过程中,辐照缺陷的变化直接影响到后续高温退火后硅片体内氧化诱生缺陷的存在状态.在500℃预处理过程中V2O2,O-V-O等缺陷的生成,决定了在经过后续高温热处理后的主要氧化诱生缺陷为位错环和层错.600℃预处理过程中有大体积的三维空位团生成,使得氧杂质在这些区域大量沉淀,在经过高温退火后,这些区域便生成体积较大的层错和位错环.经过700℃预处理的样品,体内辐照缺陷大量分解,两步退火后样品体内主要缺陷为位错.
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