快中子辐照相关论文
中子辐照直拉硅中氧沉淀以及与氧有关的本征吸除效应研究很多，而关于快中子辐照直拉硅中氧沉淀诱生缺陷的演变研究较少。本文利用化......
对间隙氧含量高达10atoms/cm的直拉硅样品进行了不同剂量的快中子辐照,使用傅立叶红外变换红外技术(FTIR)和正电子湮没技术(PAT)对......
该文采用正电子湮没寿命谱测量技术研究了3×10n/cm注量快中子辐照后的α-AlO
中空洞尺度随退火温度的变化。实验结果表明，辐照的α......
文章用FTIR和金相显微镜研究了快中子辐照对直拉硅氧化诱生缺陷的影响.快中子辐照直拉硅经两步退火后体内产生了大量氧沉淀诱生体......
用单能慢正电子方法研究材料在快中子束辐照下其性能将产生变异现象,发现快中子辐照在金属中产生空位型缺陷.单能慢正电子束是研究......
利用快中子辐照在p型硅片中产生辐照缺陷,利用其作为热处理时硅中氧沉淀的成核中心,在硅片表面层形成洁净区和在体内形成吸杂区,能......
对不同辐照剂量,不同原始氧含量的微氮直拉硅在单管扩散炉中分别进行1100℃不同时间的一步热处理,利用傅立叶红外光谱仪检测间......
介绍了宽基础二级管快中子探测器的原理及制作工艺,给出了该元件对快中子辐照的剂量响应测试结果和对能量为0.18~17.56MeV快中子的......
该文采用正电子湮没寿命谱测量技术研究了3×10n/cm注量快中子辐照后的α-AlO中空洞尺度随退火温度的变化。实验结果表明，辐照的α-......
本文对直拉硅样品进行了不同剂量的快中子辐照，在硅中引入大量的亚稳态缺陷，研究这些亚稳态缺陷的形成，并在较宽的温度范围内对辐照样......
随着核工业技术的发展,反应堆结构材料将面临越来越严苛的中子辐照条件。中子辐照下,材料内部产生大量缺陷,进而造成膨胀、硬化、......
花生(Arachis hypogaea)是重要的油料和经济作物,但其遗传基础狭窄、多样性差,通过杂交育种手段选育有突破性的花生新品种越来越困......
用中子发生器上D-D反应的2.5 MeV中子辐照Co掺杂ZnO和对照样品纯ZnO单晶.室温下测量了样品的X射线衍射谱、光致发光谱和透射光谱.......
通过傅里叶红外光谱、正电子湮没寿命谱和Hall技术研究了高剂量快中子辐照直拉硅的辐照缺陷、电阻率、载流子迁移率、载流子浓度随......
快中子辐照直拉硅(CZ-Si)经400-450℃热处理后,空位-双氧复合体(VO2,是其主要的缺陷.在300-500℃热处理快中子辐照的CZ-Si后,IR光......
利用反应堆快中子辐照控制电力半导体器件的少子寿命,器件电特性优于现有的扩金、扩铂、电子辐照和Co60-γ辐照等少子寿命控制技术......
通过傅立叶红外光谱仪（FTIR）技术研究了由快中子辐照直拉硅中引入的辐照缺陷——双空位（V2）退火行为，主要研究了不同中子辐照剂量对双空......
通过对天然无色黄玉、快中子辐照变色黄玉、高能电子辐照变色黄玉以及辐照变色黄玉退火过程的正电子湮没寿命谱的对比分析研究,结......
将直拉硅、微氮直拉硅样品在氮气氛保护下1100℃退火8h,以引入氮杂质。利用低温红外技术(20K)获得样品的精细光谱。试验发现,在285......
利用傅立叶红外吸收光谱（FTIR）和正电子湮没技术（PAS）对快中子辐照直拉硅中的双空位（V2）的退火行为进行了研究。实验表明，双空位主要通过......
采用真空热压技术将自悬浮定向流法制得的纳米Al粉压制成平均晶粒尺寸约为120nm的块体,并对其进行了注量为1.9×10^12-7.2......
为研究快中子辐照对新合成的小麦-黑麦双二倍体染色体结构变化的影响,分别利用5Gy、15Gy和20Gy三种快中子辐照剂量对其种子进行辐......
以花生品种花育22号的成熟饱满种子为试材,采用14MeV不同剂量的快中子（0、9.7、14和18Gy）进行辐照处理。处理后的种子经表面杀菌后,......
利用诱变创新种质材料是作物遗传改良和功能基因组学研究的重要途径。本研究以丰花1号、山花13号、潍花10号等10个主要推广的栽培......
为了探索快中子辐照玉米的细胞学效应及后代变异,为玉米种质创新及品种改良提供有益的种质资源,本实验采用低剂量（0.36~4.19 Gy）的快......
利用理化诱变创新种质是作物遗传改良和基因功能研究的重要途径。本研究以来源于中美两国主要推广的12个栽培花生品种（包括10个直立......
采用252Cf裂变中子源辐照郑单958（ZD958）和武9086（W9086）干种子至吸收剂量为0.98、1.26、1.51、1.97、2.48、3.37 Gy。考察吸收剂量对......
本文中利用傅立叶红外光谱仪(FTIR)、光学显微镜和透射电子显微镜(TEM)观察的方法,研究了辐照剂量、退火条件等因素对快中子辐照直......
微电子器件经常应用于各种辐射环境,在此情况下提高直拉硅单晶材料的抗辐照性能很有必要。在直拉硅单晶中掺锗被认为是提高抗辐照......
本文对快中子辐照直拉硅的辐照缺陷在退火过程中的转化机制和辐照缺陷对高温退火后氧化诱生缺陷的影响进行了研究。实验结果表明对......
本文通过Hall、四探针、傅立叶红外光谱仪（FTIR）和正电子湮没谱（PAS）技术研究了由快中子辐照在硅中引入的辐照缺陷及其对硅电学性能的......
本文利用傅立叶红外光谱仪（FTIR）和光学显微镜观察的方法,研究了辐照剂量、退火条件等因素对快中子辐照掺氮直拉硅（NCZSi）中氧沉淀及诱......
