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本文针对碳纳米管薄膜的表面结构和场致电子发射性能进行研究.我们制备的碳纳米管的开启电场约3.33MV/m,阂值电场约为5.44MV/m.通过光电子能谱的分析,我们发现碳纳米管薄膜的表面势垒在外加电场作用下逐步下降,从而使得碳纳米管薄膜的电子更加容易发射进入真空.
碳纳米管场致电子发射阴极的制备
【摘 要】
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本文针对碳纳米管薄膜的表面结构和场致电子发射性能进行研究.我们制备的碳纳米管的开启电场约3.33MV/m,阂值电场约为5.44MV/m.通过光电子能谱的分析,我们发现碳纳米管薄
【机 构】
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暨南大学物理系思源实验室,广东广州510632
【出 处】
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广东省真空学会2011年学术年会
【发表日期】
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2011年期
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