表面势垒相关论文
负电子亲和势(NEA) GaN光电阴极具有灵敏度高、暗发射小、发射电子能量分布集中等优点,是非常理想的新型紫外光电阴极。针对目前NE......
传统的电荷耦合器件(CCD)处于强光环境时,会产生光晕现象;纵向溢出漏结构的出现,满足了CCD在强光环境下的使用要求。通过对CCD的纵......
利用第一性原理密度泛函的方法对钠原子吸附闭口碳纳米管的场发射性质进行了综合研究,建立了(5,5)闭口碳纳米管吸附不同数量钠原子......
GaN光电阴极是紫外真空探测器和真空电子源的核心部件,在国防和工业上有着广泛的应用,受到各国科学家的极大重视。为了改善GaN光电......
本文围绕变掺杂GaAs光电阴极的量子效率理论、材料结构设计与生长、制备工艺评估和阴极性能评估等方面开展了系统研究。
针对......
利用多信息量测试系统分别测试了反射式GaAs光电阴极激活后在0(无光照),33和100 lx白光照射情况下阴极的光电流衰减变化曲线,计算......
根据激活过程中光电流变化规律及原位光谱响应测试,模拟了GaAs光阴极表面势垒的形成过程,在光阴极表面双偶极子模型的基础上作了修......
制备了在相对湿度为20%RH～98%RH范围内电阻值变化3个～4个数量级的(Ba,Pb)TiO3陶瓷湿敏电阻,应用固体物理的无序系统理论解释了(Ba,Pb......
用光谱响应测试仪得到了反射式梯度掺杂GaN光电阴极在激活和衰减过程中的光谱响应曲线，发现此曲线不断发生变化。在激活过程中光谱......
MQ系列气体传感器是工程上测试气体浓度的一种常用传感器。由于该系列传感器采用金属氧化物半导体作为敏感材料,需要进行加热才能......
研究表面势垒对梯度掺杂GaN光电阴极电子逸出几率的影响.计算梯度掺杂透射式GaN光电阴极的电子能量分布及逸出几率,结果显示梯度掺......
研究了高温Cs激活过程中,GaAs光电阴极表面势垒的变化机理。在考虑GaAs材料体内负电性p型掺杂杂质与材料表面正电性Cs＋所形成的偶极......
采用光电子能谱（XPS）和紫外光电子谱（UPS）对块体纳米晶304不锈钢和铸态304不锈钢表面进行分析．结果表明，表面因暴露在空气中吸附了大量C......
采用直流磁控溅射法制备了不同厚度的金纳米薄膜，在高纯氮气气氛、800℃条件下快速退火，在石英基底上制备了具有表面微纳颗粒的新型......
为了改善加速器和高功率微波源中金属器壁的表面状况，采用数学建模并结合实验对比的方法，建立了二次电子能谱的吸附势垒模型。首先，以......
通过计算电子到达阴极面时的能量分布和求解电子隧穿表面势垒的薛定谔方程得到了透射式NEA GaAs光阴极发射电子能量分布的计算公式......
本文对四个不同电流容量的进口SBD管芯进行纵向结构的解剖与分析。阐述了金属-半导体表面势垒、多层金属（或合金）的元素、厚度及合金......
在实用热阴极中,测量得的发射常数值经常小于120A/cm~2T~2。这是由于逸出功有一分布所致,而不是由于电子遇到表面势垒时的反射。用......
微光夜视器件作为一种主要的夜间观察设备在现代社会中发挥了重要的作用。GaAs光电阴极是微光夜视器件的核心组成部分,因此如何制......
对半导体表面势垒与表面能级的关系进行了理论研究.用薛定谔方程和矩阵理论推导出表面电子波 函数能量的本征方程,给出表面势垒与......
本文提出一个分形几何模型(Fractal geometry model)。用它描述固体粉末体系的结构特征,并在此基础上建立了单金属粉末体系烧结过......
纤锌矿结构氧化锌(ZnO)是一种宽禁带的直接带隙氧化物半导体材料,带隙宽度为3.7 eV,激子结合能也比较大为60 meV,由于纳米尺寸的Zn......
利用光谱响应测试仪测试了反射式GaAs光电阴极在激活过程中以及激活后衰减过程中的光谱响应曲线,测试结果显示在这两个过程中光谱......
目的探索横向应力场对原子尺度摩擦能量耗散的调制规律。方法采用微机械剥离方法制备单层至多层MoS2样品,利用光学显微镜、高波数......
分析正、负电子亲和势在发射机理上的差别,重点阐述 GaAs 光阴极的设计原理。讨论这种阴极参数的设定依据,扼要介绍它的主要制作工......
