【摘 要】
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光伏发电最重要的发电装置是光伏组件,所以光伏组件的质量与可靠性直接决定了整个光伏发电系统的可靠性与稳定性。现在应用较为广泛的光伏组件续流元件存在着严重的弊端,为了解决问题,本文设计了一种基于MOS晶体管、单片机的改进型光伏组件。其原理是单片机通过定时测试两路太阳电池片的输出电压来判断各路电池片的实际工作情况,根据其工作状态来控制起续流作用的MOS晶体管的工作状态。该设计改进了原有组件的部分结构,大
【机 构】
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江南大学,无锡 214122 尚德能源工程有限公司,无锡 214028 尚德能源工程有限公司,无锡
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光伏发电最重要的发电装置是光伏组件,所以光伏组件的质量与可靠性直接决定了整个光伏发电系统的可靠性与稳定性。现在应用较为广泛的光伏组件续流元件存在着严重的弊端,为了解决问题,本文设计了一种基于MOS晶体管、单片机的改进型光伏组件。其原理是单片机通过定时测试两路太阳电池片的输出电压来判断各路电池片的实际工作情况,根据其工作状态来控制起续流作用的MOS晶体管的工作状态。该设计改进了原有组件的部分结构,大大增强了光伏组件的安全性与稳定性。
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从拓展光利用的角度,绒面陷光结构已经成为提高太阳电池效率的最佳方式之一。本文提出可以进行光管理的另—个思路,即利用分布式布拉格反射(DBR)结构,具有可以有选择性地提高反射率的概念,构建类"微腔"式结构,进行电池内光谱合理分配的实验性设计思路。文中采用适用于光学薄膜设计的Essential Macleod v8.10软件,依据本实验室实测硅基薄膜及透明导电薄膜的光学参数,设计了ZnO薄膜与硅基薄膜
本文尝试为等离子体化学气相沉积(PECVD)制备的微晶硅(μc-Si∶H)薄膜太阳电池的P型与I型微晶硅(μc-Si∶H)材料和N型非晶硅(a-Si∶H)材料建立简单实用的光学模型,用以拟合可见和近红外范围(370nm-1000nm)的光谱椭圆偏振测量值(Ψ和Δ)而得到这些材料的光学常数(折射率和吸收系数)谱。采用了Tauc-Lorentz振子模型,并考虑玻璃衬底下表面反射和硅薄膜表面氧化层与粗糙
本文采用铝的化学盐溶液作为金属诱导源,实现了对LPCVD制备非晶硅薄膜的晶化。将实验条件对晶化效果的影响与XPS的测试结果结合,对溶液法化学源铝诱导晶化的机理进行了初步的探讨。得到的结论是在退火过程中,薄膜表面反应物中的Al原子首先被薄膜表面Si原子替换出来,并进人非晶硅薄膜内部与Si形成Al/Si固溶体,进而发生诱导晶化。晶化后的薄膜经过优化,可以用于多晶硅薄膜电池的制备,具有良好的应用前景。
近年来，太阳电池工业的迅猛发展致使制备单晶硅的原材料供应十分紧张，加之大部分的硅单晶生产厂家是新参与者，不太了解硅的质量与太阳电池性能之间的关系，因而饥不择食地购入了大量的垃圾原料诸如：极低阻的重掺硅料；祸底料；薄镀膜片，彩片；电池废片等杂料，误认为可通过型号补偿以及化学物理法处理后，只要凑合太阳电池所需型号和电阻率的要求，拉成单晶，甚至连少子寿命都不测，就提供给用户制作太阳电池，必然造成电池的转
铸锭中存在着氧,氢,金属杂质,位错,晶界等缺陷类型,根据这些杂质缺陷类型,研究它们对切片过程中产生不良品的影响,在硅片生产中避免它们对切片带来的危害,从而提高多晶硅片的出片率,提高经济效益。
采用新型的刻蚀剂,碳酸钠(Na2CO3)和磷酸钠(Na3PO4·12H2O)实现了晶硅表面的织构。研究了刻蚀剂浓度、温度(T)、刻蚀时间(te)和添加剂对晶硅表面织构的影响,讨论了刻蚀机理。通过优化工艺,得到低的平均表面反射率(Rav):9.70％(NaOH)、9.76％(Na2CO3)和8.63％(Na3PO4·12H2O)。添加剂IPA在Na3PO4·12H2O或Na2CO3溶液中可明显地改善
近年来,低成本和高效率的多晶硅已经成为最主要光伏材料之一。本文从太阳能电池制备工艺角度出发,综述了国内外近年来关于对铸造多晶硅杂质和缺陷处理方面的工艺研究进展。分析比较了各种处理工艺,包括磷吸杂,铝吸杂,磷铝共吸杂,和多孔硅吸杂,对杂质吸除效果、少子寿命的影响。也分析了钝化和热处理工艺对多晶硅材料性能的影响。综合考虑成本要求和除杂效果,高温P-Al联合吸杂以及多孔硅吸杂是较好的选择。它们可能在未来
本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,针对单室VHF-PECVD制备微晶硅薄膜太阳电池存在交叉污染的问题,有意地进行了污染控制以及p/i/n型电池各层材料的优化研究。继而获得了单室VHF-PECVD技术制备单结微晶硅薄膜太阳电池的效率达到6.3％(1cm2)。同射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术制备的非晶硅薄膜太阳电池组合,所研制的非晶硅/微晶硅叠层太
利用VHF-PECVD(75MHz)技术,采用高氢稀释SiH4、及B2H6掺杂的方法,在玻璃衬底上获得了厚度为50nm,电导率达到9.1S/cm,暗电导激活能小于0.035eV,拉曼晶化率超过40％的p层材料。单室工艺制备微晶硅单结电池中,用同样工艺条件沉积20nm厚的p层,获得了效率达到4.97％的电池。系列实验结果表明,随硼烷浓度的增加,材料的生长速度增加。薄膜的透过率在一定程度上受到有效硼掺
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