【摘 要】
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碲化镉及其系列半导体具有高的平均原子序数、宽禁带宽度、大的密度和高电阻率等特点,是下一代室温型半导体射线探测器的理想材料之一。但是碲化镉还具有熔点高,导热系数小,
【机 构】
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中国科学院宁波材料技术与工程研究所;
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碲化镉及其系列半导体具有高的平均原子序数、宽禁带宽度、大的密度和高电阻率等特点,是下一代室温型半导体射线探测器的理想材料之一。但是碲化镉还具有熔点高,导热系数小,熔体对流小等不利于晶体生长的缺陷。在碲化镉晶体生长中强制对流对于晶体生长是必要的。在本次会议中,我们将介绍碲化镉系列晶体使用移动加热法制备时,通过改变坩埚的运动形态,控制熔体的强制对流等条件,研究晶体生长界面宏观和微观形貌,以及晶体红外透过率,电阻率等性能的变化。
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