【摘 要】
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研究单根纳米线输运特性对其在纳米电子器件中的应用具有重要意义[1-3]。本文研究了单根氧化铜纳米线室温及变温条件下的电流-电压(I-V)特性，结果表明当外加电压足够高时，可以观察到空间电荷限制电流。根据变温电学特性的结果计算可得，所生长的纳米线缺陷浓度分布在三个范围(图1)。当纳米线未进入空间电荷限制电流的缺陷填充阶段(即欧姆导电阶段)，根据Arrhenius 方程算得的激活能也对应分布在三个范围
【机 构】
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中山大学广东省显示材料与技术重点实验室,广东广州,510275
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研究单根纳米线输运特性对其在纳米电子器件中的应用具有重要意义[1-3]。本文研究了单根氧化铜纳米线室温及变温条件下的电流-电压(I-V)特性，结果表明当外加电压足够高时，可以观察到空间电荷限制电流。根据变温电学特性的结果计算可得，所生长的纳米线缺陷浓度分布在三个范围(图1)。当纳米线未进入空间电荷限制电流的缺陷填充阶段(即欧姆导电阶段)，根据Arrhenius 方程算得的激活能也对应分布在三个范围。我们提出三种输运机制解释对应的导电特性，即最近邻电子跳跃+缺陷热发射、缺陷热发射和缺陷热发射+本征激发。本研究结果表明缺陷浓度是影响CuO 纳米线电子输运的重要因素，它决定了导电过程中哪种导电机制占主导地位。
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