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GaAs HBT的抗辐照特性及其与GaAs场效应器件和硅双极晶体管的比较
【机 构】
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集成电路国家级重点实验室,电子工业部第十三研究所(石家庄市)
【出 处】
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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1998年10期
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