HBT相关论文
随着集成电路在微波和太赫兹领域大力发展,异质结双极晶体管（HBT）以高增益、高频率、高可靠性等优势引起研究人员广泛关注。HBT器件......
中国北斗卫星导航系统提供全球范围的自主地理空间定位业务,第一代和第三代北斗卫星导航系统除了无源卫星导航功能外,还提供了短报......
许多量子协议的一个关键要求是使用特定的光量子态作为信息处理的资源,因此研究各类光场量子态具有重要的意义。量子态可分为高斯......
为有效控制生产成本,减少工艺步骤,提出了在SiGe工艺中,用SiGe异质结双极型晶体管(HBT)代替传统二极管来实现静电放电(ESD)保护的......
荧光探针在近些年来发展迅速,作为一种重要的分析检测手段,选择性高、灵敏度高是它区别于传统检测方法的重要特征,又由于观测工具......
2-(2-羟基苯基)苯并噻唑(HBT)及其衍生物是一类典型的质子转移有机分子,此类化合物可发生分子内质子转移,具有较大的荧光发射能力......
TMP(Thermomechanicalpulp,热磨机械浆)树脂成分是包含脂肪酸、树脂酸、固醇酯、三酰甘油酯等在内的复杂混合物。在制浆造纸过程中......
通常我们说的相干性指的是一阶相干性,如杨氏双缝干涉实验。长期以来,人们对相干性的认识局限于一阶相干性。直到1956年,Hanbury B......
研究了硼烷 (B2 H6 )掺杂锗硅外延和磷烷 (PH3)掺杂硅外延的外延速率和掺杂浓度与掺杂气体流量的关系 .B浓度与 B2 H6 流量基本上......
采用新近研制的高真空／快速热处理／化学气相淀积（HV／RTP／CVD）系统生长了应变SiGe材料．通过仔细设计的处理过程可以得到器件质量的材料．Ge组......
摘 要： 基于0.5µm SiGe HBT工艺，利用安捷伦公司的ADS仿真软件，设计一款应用于GNSS接收机射频前端的Gilbert混频器芯片。设计......
叙述了基于GaAsHBT的直接耦合级联形式,设计制造的几种微波单片集成电路，包括2.5Gb/s跨阻放大器、3GHz可级联放大器和10Gb/s跨阻放......
随着微波通信技术的长期发展,它将从功能上在传统的计算设备和常规的射频及微波通信仿真器中得到设计和仿真(如SPICE、Agilent ADS......
实验分别测量了Ti-Si0.84Ge0.16与Ti-Si系统在依次经历700℃及730~900℃两步退火后的方块电阻。对比结果表明,Ti的锗硅化物与Ti的......
基于Jazz 0.35 μm SiGe HBT工艺,设计了一种宽动态范围的可变增益放大器(VGA).放大器由三级级联结构构成,分别为输入级、增益控制......
对应用于高频微波功率放大器的SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区进行了优化。研究发现,器件对基区Ge组分以及掺杂浓度十分敏感。采......
An improved small-signal equivalent circuit of HBT concerning the AC current crowding effect is proposed in this paper. ......
基区重掺杂使HBT 突变结界面势垒形状及高度发生了扰动,这种扰动对电流输运特性有重要的影响。本文基于热场发射- 扩散模型,分析了......
从玻尔兹曼方程出发，分析了ＳｉＧｅ ＨＢＴ超薄基区中载流子温度，扩散系数等参量的变化，建立了不同于常规基区宽度的新的超薄基区ＳｉＧｅ ＨＢＴ电流传输模型．
Ba......
利用 3μm工艺条件制得 Si Ge HBT( Heterojunction Bipolar Transistor) ,器件的特征频率达到 8GHz.60 0 MHz工作频率下的最小噪......
期刊
报道了一种性能良好的SiGe功率放大器,具有用于无线通信的前景.在B类模式下工作时,输出功率可以达到30dBm.在AB类模式下,电源电压......
The microwave SiGe Heterojunction Bipolar Transistors (HBT) were fabricated by the material grown with home-made high va......
研制成功了可商业化的75mm单片超高真空化学气相淀积锗硅外延设备SGE500,并生长了器件级SiGe HBT材料.研制了具有优良小电流特性的......
重掺杂禁带变窄效应引起异质结导带、价带带阶的扰动,从而使突变HBT异质结界面势垒的形状和高度发生了变化,这将对电流传输特性产......
随着微波通信技术的长期发展,它将从功能上在传统的计算设备和常规的射频及微波通信仿真器中得到设计和仿真(如SPICE、Agilent ADS......
Low-temperature-epitaxy n-type silicon layers were grown on arsenic-doped n+-type silicon substrate by using ultra-high ......
在对采用了同一流片相同制备工艺制得的两个异质结双极晶体管（HBT）高频特性实验测量数据分析比较的基础上,探讨了压焊点（Pad）底下介质......
频率特性是异质结双极型晶体管（HBT）设计中应首先考虑的因素，而fτ，fmax。则是HBT最主要的频率性能指标。首先基于InP／InGaAsHBT器件的......
在器件纵向结构确定后,常规工艺制作的SiGe/Si HBT噪声性能不理想的主要原因是其基极电阻较大,高频性能不理想主要是由于其基极和......
采用自行研发的4英寸InGaP/GaAs HBT技术,设计和制造了10Gb/s光调制器驱动电路.该驱动电路的输出电压摆幅达到3Vpp,上升时间为34.2......
文章研究磷化铟(InP)基异质结双极晶体管(HBT)和PIN光电二极管(PIN-PD)单片集成技术,利用器件的小信号等效电路详细计算了长波长PI......
随着无线通信、蓝牙技术、雷达及航天技术的发展，对其射频部分的技术指标要求和成本要求越来越苛刻。新型异质结器件异军突起，不断满......
在对Si/SiGe/Si HBT及其Si兼容工艺的研究基础上，研制成功低噪声Si/SiGe/Si HBT，测试和分析了它的直流特性和低频噪声特性，为具有更好......
分析了MOCVD AlGaAs/GaAs HBT外延材料生长中基区、发射区异质结界面与P-N结界面产生偏离的原因,计算了外延生长参数对结偏离的影......
文章对突变反型异质结的能带图、接触电势差和势垒区宽度进行了讨论和研究.同时,介绍了基于分子束外延(MBE)法生长的SiGe/Si结构的......
在已有的SiCe HBT基区渡越时间模型的基础上，考虑了势垒效应对其产生的影响以及与基区Ge分布的关系．结果表明：大电流密度下的势垒效应......
研制了一种平面集成多晶发射极SiGeHBT。经测量，在室温下电流增益β大于1500，最大达到2800，其Vceo为5V，厄利（Early）电压VA大于10V，pVA乘积......
SiGe BiCMOS提供了性能极其优异的异质结晶体管（HBT），其ft超过70GHz，β〉120，并具有高线性、低噪声等特点，非常适合高频领域的应用。基于......
提出了一个包含版图分布参数和引线寄生参数在内的微波功率HBT的宏模型，建立了通过微波仿真进行器件结构优化的技术方法。基于以上......
提出了一种求解硅锗异质结双极型晶体管（SiGeHBT）小信号等效电路模型的参数直接提取方法。整个提取过程使用由小信号等效电路推导出......
提出了一种有效的方法-采用多发射极指分段结构来增强功率SiGe HBT的热稳定性。为了对分段结构进行精确的热分析，针对器件多层结构......
基于Jazz 0．35μm SiGe工艺，设计了一款工作在3～10GHz频带范围内的超宽带低噪声放大器。该放大器采用电阻负反馈结构，并在发射极并联电......
分析了SiGeHBT器件中子辐照效应损伤机理。运用MEDICI软件，对SiGeHBT器件中子辐照效应的数值模拟进行了探索性研究。计算了1MeV中子......
用MBE（分子束外延，MolecularBeamEpitaxy）生长的材料研制了在低温工作的SiGe/SiHBT（异质结双极型晶体管，HeterojunctionBipolarTransist......
采用异质结双台面双极型结构设计微波功率器件,选择Si作发射区和集电区,Si1-xGex合金作基区的n-p-n型异质结双极性晶体管,利用数学......
讨论了X波段功率异质结双极晶体管(HBT)的设计,介绍了器件研制的工艺过程及测试结果.研制的器件在X波段功率输出大于5 W,功率密度......
