HBT相关论文
随着集成电路在微波和太赫兹领域大力发展,异质结双极晶体管（HBT）以高增益、高频率、高可靠性等优势引起研究人员广泛关注。HBT器件......
中国北斗卫星导航系统提供全球范围的自主地理空间定位业务,第一代和第三代北斗卫星导航系统除了无源卫星导航功能外,还提供了短报......
许多量子协议的一个关键要求是使用特定的光量子态作为信息处理的资源,因此研究各类光场量子态具有重要的意义。量子态可分为高斯......
基于AWSC 2μm的HBT工艺,设计了一种用于5G通信N77频段(3.3～4.2 GHz)的功率放大器.采用变压器匹配的方式,显著提高了功率放大器的增......
本文研究了SiGeHBT在OC应力(集电极开路,发射结反向偏置)、FC应力(集电结正向偏置,发射结反向偏置)以及热应力下的退化现象.发现基......
本文介绍了超高速化合物器件HBT、HEMT、绝缘栅P-HEMT的结构、特点以及上述器件的当前国际水平和它们在21世纪通信系统中的应用与......
本文基于GaAs HBT工艺研发了一款推推介质振荡器负阻芯片,并在此基础上设计了一种新型微带耦合形式的推推介质振荡器。文中采用电......
We report the generation of a 10-MHz-repetition-rate triggered single-photon source at 852 nm based on a trapped sin......
只读的记忆(ROM ) 广泛地作为在直接数字的频率合成器(DDFS ) 印射块的 phase-to-amplitude 被实现。这份报纸在 DDFS 为 ROM 导出......
We present a systematic analysis of two-pion interferometry for the central Au+Au collisions at（snn）1/2=3,5,7,11,17,27,39,......
通过漆酶/HBT体系对芦丁酶促聚合,利用紫外吸收光谱、红外光谱、核磁共振氢谱、液相色谱-质谱联用分别对单体和聚合物的结构特点、......
目前ＧａＡｓ基低噪声ＨＥＭＴ，包括用于ＤＢＳ的ＩｎＧａＡｓ／Ｎ－ＡｌＧａＡｓＰＨＥＭＴ已经商品化，且ＧａＡｓ基功率ＨＢＴ也将很快进入市场。尽管ＩｎＰ基ＨＥＭＴ或ＨＢＴ仍处于研究与发展阶段，但由于它们特殊的电性能，它们将有希望......
３．５ＶＧａＡｓＨＢＴ据《ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＷｏｒｌｄ》１９９５年第２期报道，日本富士通研究所研究一种新的便携电话用的３．５ＶＧａＡｓＨＢＴ。该ＨＢＴ在９００ＭＨｚ下具有：单一电源供电，３．５Ｖ，输出功率１Ｗ，功率附加效率７０％，功率增益１５...
3.5VGaA......
２０Ｇｂｉｔ／ｓ ＨＢＴ调制器驱动ＩＣ据《ＮＥＣ技报》１９９５年第５期报道，ＮＥＣ公司新开发的ＡＩＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ，应用于２０Ｇｂｉｔ光调制器驱动ＩＣ中，获得了良好的超高速和高压输出性能。在ＩＣ制作中，ＮＥＣ采用了独特的异......
简要介绍了异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的发展现状。对ＨＢＴ器件性能进行了理论分析、设计并制作了功率ＨＢＴ器件样品。器件性能达到：ｆ＿Ｔ＝４０ＧＨｚ，ｆ＿（ｍａｘ）＝３２ＧＨｚ，在８ＧＨｚ工作频率下测量，输......
１ＷＫｕ波段ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ功率ＨＢＴ最大功率附加效率达７２％《ＩＥＥＥＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓｏｎＥｌｅｃｔｉｏｎＤｅｖｉｃｅｓ》１９９５年第４２卷１１期报道，通过采用最佳发射极镇流电阻器和电镀热沉（ＰＨＳ）结构已经成功地获得了Ｋｕ波段大功率...
1WKu ......
提出了线性缓交ＳＩＧｅＨＢＴ的基区滚越时间τｂ的解析模型，基于该模型研究了基区渡越时问的低温行为。研究发现，τｂ随温度的降低而迅速减小，虽然大的......
在Ｓｉ１－ＺＧｅＺ基区ＨＢＴ中，Ｇｅ组份Ｚ缓变（进而能隙缓变）产生自建电场，基区杂质浓度向发射极侧的减小产生了阻滞电场，基区杂质浓度向集电极侧的减小产生了加速......
高速、高增益ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ基ＨＢＴ双异质结结构和ＩｎＰ集电极使得双极晶体管具有高击穿电压和高漂移速度。瑞典和芬兰的科学家用ＩｎＰ作发射极和集电极，用ＩｎＧａＡｓ作高掺......
本文提出了一个适用于大电流的ＳｉＧｅ基区双极型晶体管（ＳｉＧｅ－ＨＢＴ）的电流和频率特性的解析模型．本模型考虑了速度饱和效应，对ｎ＋ｐｎｎ＋双极型晶体管，当电流超过发......
从半导体器件的基本方程出发，采用数值模拟方法，按照电流增益截止频率（ｆＴ）的定义，模拟计算了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ的ｆＴ，以及偏置电压和输入信号幅值对ｆＴ的影响，给出了......
ＨＥＭＴ与ＨＢＴ集成放大器的设计ＨＥＭＴ以其高增益和低噪声著称，而ＨＢＴ则以高线性度和高效率见长，因此，把ＨＥＭＴ和ＨＢＴ集成在同一衬底上的性能引起了微波设计者的观注。......
应用＂掺杂工程＂和＂带隙工程＂各自的特点，设计了一种独特的基区双向高速输运的ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＨＢＴ层结构，并利用此结构在３μｍ工艺线上做出了性能良好的ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＨＢＴ。其......
本文介绍了电子束蒸发二氧化硅薄膜的工艺方法，影响蒸发二氧化硅薄膜质量的因素，以及用于Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘＨＢＴ的结果。
This article describes the pro......
本文分析并给出了在无应力及界面态的理想条件下ｎｐｎＳｉ１－ｙＧｅｙ基区ＨＢＴ集电结势垒高度的近似公式，重点推导了集电区穿通时的势垒区宽度的定量计算公式......
ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的基区杂质在工艺过程中外扩到发射区和收集区，使得低温增益下降。提出采用适当厚度的隔离层的方法，使ＨＢＴ电流增益在低温下增长。
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通过建立基于耗尽层等效的准二维模型。模拟了异质结双极晶体管（HeterojuctionBipolarTransistorHBT）的热电耦合特性。在模型中，器件......
研究了电压控制振荡器（ＶＣＯ）的相位噪声与构成该振荡器的有源器件的低频噪声的关系，测试了ＳｉＢＪＴ、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ ＨＢＴ和ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ ＨＢＴ的低频噪声，并分析了各自低频噪声产生的原......
建立了Ａｌ０．３Ｇａ０．２２Ｉｎ０．４８Ｐ／ＧａＡｓ 异质结双极型晶极管（ＨＢＴ）中电流输运过程的模型，利用实验得到的材料特性参数进行了ＨＢＴ电流增益随温度变化的模拟．随着温度上升，小电流......
:本文利用物理参数提取大信号HBT模型。首先 ,推导并提出器件的模型 ,对模型中各参数含义作了分析和阐述 ,将模型分为本征模型和外......
利用化学湿法选择技术和监控电极技术设计并研制了一种新型台面结构超薄基区AlGaAs/GaAs负阻异质结双极晶体管,该器件具有独特且显......
采用GaAs标准MMIC工艺制作了具有片上RC并联稳定网络的InGaP/GaAs HBT微波功率管单胞.依据K稳定因子,RC网络使功率管在较宽的频带......
从发射极条宽、发射极条长、基极条数、发射极与基极间距四个方面分析了横向尺寸变化对SiGe HBT高频噪声的影响。结果表明增加发射......
采用简单的双台面工艺制作了完全平面结构的5个单元、10个发射极指大面积的SiGe HBT.器件表现出了良好的直流和高频特性,最大电流......
据《信学技报》(日)2010年109-361期报道,日本三菱电机高频光器件制作所开发了用于低电压、宽带CDMA的HBT功率放大器。HBT的主要特......
美国半导体厂商Tower Jazz和美国DARPA最近达成了一项共同出资开发频率高达500 GHz的SiGe异质结双极晶体管(HBT)项目。这一项目将......
为有效控制生产成本,减少工艺步骤,提出了在SiGe工艺中,用SiGe异质结双极型晶体管(HBT)代替传统二极管来实现静电放电(ESD)保护的......
关联成像源于对纠缠光源非定域特性的研究,利用光场的二阶或高阶关联性质来获取物体图像信息的一种新型成像实验方式。关联成像打......
2-(2-羟基苯基)苯并噻唑(HBT)及其衍生物是一类典型的质子转移有机分子,此类化合物可发生分子内质子转移,具有较大的荧光发射能力......
TMP(Thermomechanicalpulp,热磨机械浆)树脂成分是包含脂肪酸、树脂酸、固醇酯、三酰甘油酯等在内的复杂混合物。在制浆造纸过程中......
通常我们说的相干性指的是一阶相干性,如杨氏双缝干涉实验。长期以来,人们对相干性的认识局限于一阶相干性。直到1956年,Hanbury B......
为了提高器件的频率特性,设计了一种表面覆盖氮化物(Si3N4)应力膜的应变硅SOI SiGe异质结双极晶体管结构,通过在器件结构的最上层......
