【摘 要】
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本文首先介绍了有关介孔复合体这一凝聚态和材料科学的新兴课题的概况,以及正电子谱学作为研究材料缺陷的一种有效手段在探测介孔材料纳米量级微孔洞的应用.实验中首先对掺银
【机 构】
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中国科技大学近代物理系青岛大学物理系
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本文首先介绍了有关介孔复合体这一凝聚态和材料科学的新兴课题的概况,以及正电子谱学作为研究材料缺陷的一种有效手段在探测介孔材料纳米量级微孔洞的应用.实验中首先对掺银多孔硅SiO<,2>/Ag样品进行了寿命谱的测量,并利用长寿命成分求解了样品的孔半径,得到较理想的结果.同时,测量了正电子在各样品中3γ湮没产额,并讨论了孔半径和样品掺银量对3γ湮没产额的影响以及不同退火环境对样品性质的影响.最后通过测量Doppler展宽谱并计算展宽线性能数S参数,分析了影响S参数的因素,并印证了寿命谱,3γ湮没份额等测量结果的可靠性.
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