【摘 要】
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用HPO:HO系和HCl系腐蚀液实现了InP对InGaAs、InGaAs对InP的湿法化学选择腐蚀，并将其应用于InP/InGaAs HBT制作，发射极面积为10μm×20μm的单管共发射极直流增益β为70，截止频
【机 构】
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信息产业部电子第十三研究所(石家庄),吉林大学光集成国家重点实验室(长信息产业部电子第十三研究所(石家庄)
【出 处】
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全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议
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用H<,3>PO<,4>:H<,2>O<,2>系和HCl系腐蚀液实现了InP对InGaAs、InGaAs对InP的湿法化学选择腐蚀，并将其应用于InP/InGaAs HBT制作，发射极面积为10μm×20μm的单管共发射极直流增益β为70，截止频率F<,1>和最大振荡率F<,max>分别为11GHz和12GHz。
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