论文部分内容阅读
目的:中老年男性雄激素部分缺乏症(PADAM)的主要原因之一是leydig细胞数量减少和分泌睾酮的功能减退。目前激素替代疗法是治疗PADAM的有效方法之一,但长期激素替代疗法存在毒副作用,至今尚无理想治疗PADAM的方法。我们采用低强度半导体激光照射体外培养的大鼠睾丸间质细胞, 观察了照射后leydig细胞的睾酮分泌量的变化,探讨半导体激光治疗PADAM的可能性。方法:实验采用原代培养大鼠睾丸间质细胞,Percoll梯度离心纯化间质细胞,3 β-HSD染色鉴定睾丸间质细胞; 用波长为650nm的半导体激光进行照射培养细胞,连续五天,每天照射一次,按不同的激光能量密度分为3组:2．0J／cm2、4．0J／cm2、6．0J／cm2,MTT法测定细胞增殖率;采用能量密度为2．5J／cm2半导体激光照射,同时设立hOG组及激光加hOG组,激光照射的第一、二天,放射免疫方法测定对照组和实验组间质细胞睾酮分泌量。结果:激光照射问质细胞5d后,对照组OD值为0．780±0．05,2．0J／cm2、4．0J／cm2、 6．0J／cm2三个实验组的OD值分别为0．90±0．08、0．93±0．10和0．85±0．10,细胞增殖活性明显高于对照组(P<0．05);激光照射后第1d睾酮分泌量激光组为316．24±132．46(ng／dl),hCG组为721．55 ±106．47(ng／dl),hCG+激光组为865．56±139．93(ng／dl),对照组为226．70±152．28(ng／dl), 各实验组显著高于对照组(P(0．05),第2d睾酮分泌量明显降低,激光组为62．55±35．79(ng／dl), hCG组为157．78±33．18(ng／dl),hCG+激光组为134．37±36．60(ng／dl),对照组为58．85±28．90 (ng／dl),hCG组和hCG+激光组都显著高于对照组(P<0．05)。结论:低强度半导体激光可促进睾丸间质细胞增殖,使睾酮分泌量升高。低强度半导体激光对睾丸间质细胞的刺激作用与hOG的作用类似,而在临床应用中低强度半导体激光照射避免了使用激素的毒副作用,这就有可能用于中老年男性雄激素部分缺乏症(睾酮分泌不足)的治疗。