【摘 要】
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Nickel thin films were deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition (PE-ALD) by using metallorganic precursors and various reactant gases,H2 and NH3,including its plasma.
【机 构】
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School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, 262 Seongsanno, Seodaemun-gu, Se
【出 处】
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2011年第三届微电子及等离子体技术国际会议
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Nickel thin films were deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition (PE-ALD) by using metallorganic precursors and various reactant gases,H2 and NH3,including its plasma.
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