Heteroepitaxy相关论文
报道了一种Si基长波长、窄线宽光探测器。该探测器采用异质外延生长技术, 首先在Si衬底上生长高质量的GaAs基滤波器, 接着生长InP......
利用低压金属有机化学气相沉积技术, 开展InP/GaAs异质外延实验。由450 ℃生长的低温GaAs层与超薄低温InP层组成双异变缓冲层, 并......
用低压金属有机物气相外延(LP-MOCVD)技术,采用低温缓冲层生长法,在GaAs(100)衬底上直接生长了高质量的InP外延层。12 μm InP(0......
Relationship between the orientation of texture and heteroepitaxy of diamond and related materials f
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
Relationship between the orientation of texture and heteroepitaxy of diamond and related materials f
Diamond and cubic boron nitride films have already been applied practically because of their excellent properties. The s......
介绍了新近研制出的一种电阻加热式CVD/LPCVD SiC专用制备系统,并利用该系统以SiH4、C2H4和H2作为反应气体在直径为50mm的Si(100)......
介绍了一种GaAs基的长波长谐振腔增强型（RCE）光探测器。通过两步生长法,在GaAs衬底上异质外延生长了InP-InGaAs-InP的p-i-n光吸收结......
用低压金属有机物气相外延(LP-MOCVD)技术,采用低温缓冲层生长法,在GaAs(100)衬底上直接生长了高质量的InP外延层.1.2 μm InP(004......
利用拉曼散射光谱对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延的未故意掺杂GaN薄膜特性进行研究发现E2模式向频率低的方向漂移表明在GaN薄膜中......
综述了化学气相沉积异质外延金刚石薄膜机理及工艺的研究现状,分析了存在的问题,并对今后的研究进行了展望.......
采用金属Ni诱导与超高真空化学气相沉积相结合的方法，低温下在氧化Si衬底上制备出了多晶GeSi薄膜．利用X射线衍射仪、场发射扫描电镜......
The present understanding of diamond heteroepitaxy by bias-enhanced chemicalvapour deposition on technologically relevan......
实现了一种单片集成的长波长可调谐光探测器．通过外延实验，摸索出低温缓冲层的最佳生长条件，成功地在GaAs衬底上生长出晶格失配度约4％......
蓝光或紫外激光在光电子学和光储存方面有广阔的应用,一直是国际上关注的前沿领域.而金刚石是最好的半导体紫外发光材料.特别是用......
利用光致发光技术对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延未故意掺杂的GaN进行发光特性的研究,发现在室温下有很强的黄光输出,同时,采用扫......
概述了GaN异质外延生长中衬底的选择以及缺陷的形成机理，从缓冲层技术、横向外延技术、柔性衬底技术等生长工艺方面综述了国内外GaN......
采用分子束外延方法在Ⅱ-Ⅵ族Cd0.98Zn0.02Te（111）衬底上实现了异系Ⅳ-Ⅵ族半导体（PbTe）的外延生长.原子力显微镜（AFM）的表面形貌表征表......
用分子束外延方法在BaF2（111）衬底上生长了PbTe单晶薄膜，原子力显微镜（AFM）的表面形貌表征显示PbTe表面具有单原子层的平整性，并观察到由......
The heteroepitaxy of semiconductor thin films is a cornerstone of semiconductor devices and is naturally preferred to gr......
