微晶硅TFT反常的不稳定行为

来源 :第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:suguangli1507
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本文在一种有源区处于结构过渡区的微晶硅底栅TFT内,测试其应力衰退特性时,观察到某种"自恢复"的衰退现象.即当栅和源漏同时施加偏压应力时,测试其源漏电流随时间的变化,则发现电流先衰减、而后又开始恢复上升的反常现象.而当采用常规偏压应力模式检测时,电流随时间几乎呈指数式下降的正常衰退趋势.文章就此现象进行了初步探讨.
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