【摘 要】
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本文设计了一单片低噪声放大器.该低噪声放大器使用0.15μm GaAs pHEMT工艺,采用两级级联共源拓扑结构.用ADS软件进行设计、仿真和优化,仿真结果表明在12.25GHz-12.75GHz工作频带范围内,增益大于22dB,噪声系数小于1dB,输入输出端口回波损耗优于16dB.
【机 构】
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电子科技大学电子工程学院,成都611731
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本文设计了一单片低噪声放大器.该低噪声放大器使用0.15μm GaAs pHEMT工艺,采用两级级联共源拓扑结构.用ADS软件进行设计、仿真和优化,仿真结果表明在12.25GHz-12.75GHz工作频带范围内,增益大于22dB,噪声系数小于1dB,输入输出端口回波损耗优于16dB.
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