微波单片集成电路相关论文
低噪声放大器（Low Noise Amplifier,LNA）是射频前端的核心部件之一。作为射频接收链路的第一级放大电路,LNA的噪声系数、增益、线性......
本文介绍了C波段大功率GaAsMMIC的电路设计、结构以及单片的制作和性能测试分析等,经测试该单片性能在5.0～5.6GHz输出功率大于36dBm......
基于成熟的GaAs集成电路的设计和工艺技术,采用准确的控制电路模型,开发移动通讯用的GaAs MMIC单刀双掷开关芯片电路,电路拓扑采用......
微波单片集成电路主要应用于无线通讯、雷达、电子对抗等领域,近年随着装备发展对微波器件需求越来越大,其可靠性保证要求也越来越......
本文采用WIN的0.15μm GaAs PHEMT工艺设计了一款工作于14～14.5GHz的五位单片数字衰减器,采用了简易T型以及T型两种衰减结构,同时串......
文章基于GaAs PHEMT工艺,对PHEMT器件材料结构和大信号模型进行了分析,采用ADS软件建立电路原理图与版图,并进行优化调整,成功设计......
本论文用步进应力和恒定应力加速寿命试验的方法对国产砷化镓微波单片集成电路行波放大器的可靠性进行了初步的研究.根据步进应力......
本次设计采用0.25 um GaAs E-Mode pHEMT工艺,利用ADS仿真软件设计了一款工作在2 GHz～4.2 GHz的MMIC低噪声放大器(Low Noise Amplif......
基于100 nm硅基氮化镓(GaN)工艺,本文设计并实现了一款工作频段为20~26 GHz且增益平坦的可变增益低噪声放大器(VGLNA).该放大器采......
论文介绍了一种基于单片微波集成电路(MMIC)技术的非大气窗口的微小型探测系统,从其组成结构及工作原理出发,简要分析了各个功能子......
基于微波单片集成电路(MMIC)和微机电系统(MEMS)的单片化技术是实现电子系统微型化的关键。但单片化所带来的高电路密度问题,使系......
在微波单片集成电路中,薄膜电容常通过通孔接地.本文分析了接地薄膜电容等效电路中各元件参数和等效电路S参数的计算以及导带的梯......
方形、八角形和圆形三种平面螺旋电感器在微波单片集成电路(MMIC)是得到广泛应用,本文是三种平面螺旋电感器的计算机辅助设计,通过......
报道了国内首次开展的有耗匹配宽带单片功率放大器的研究结果。该有耗匹配宽带单片功率放大器为两级功放电路，采用Ｒｏｏｔ非线性模型进行了......
用0.15 μm GaAs增强型赝配高电子迁移率电子管(EPHEMT)工艺研制了一款集功率放大器、低噪声放大器、单刀双掷开关为一体的、可用......
单片微波集成电路具有体积小、质量轻，稳定性高，可批量生产等特点，在微波毫米波领域已得到越来越广泛的应用，特别是军事国防方面，具有重......
GaAs HEMT具有优越的高频、高速、低噪声等性能，被公认为是微波/毫米波电路应用中最重要的半导体器件之一。单片集成增强/耗尽(E/D)......
该论文用步进应力加速寿命试验的方法对国产砷化镓微波单片集成电路（GaAs MMIC）的可靠性进行了初步的研究,得到恒定应力加速寿命试验......
伴随着单片微波集成电路(MMIC)技术不断发展与成熟,越来越多的MMIC芯片出现在军用和民用系统中,提高了系统的性能.作为有源相控阵......
随着人类社会信息化的发展,微波技术的应用日益广泛与深入。工程中遇到的大量问题一般都是用等效网络的方法来处理,而等效网络的参......
包括于机在内的民用消费无线通信产品在近十多年里取得了迅猛发展。任何无线通信系统虽然构造不同，但都要用到射频功率放大器PA（Powe......
本文主要设计基于氮化镓高电子迁移率晶体管的X波段微波单片低噪声放大器,首先简单介绍了氮化镓材料、器件的优势及氮化镓微波单片......
高精度微波单片集成电路(MMIC)数字衰减器被广泛应用于相控阵雷达等电子设备中。高精度MMIC数字衰减器实现对微波信号进行精确的步......
微波控制电路在现代电子系统中有着广泛的应用,比如相控阵雷达、电子对抗和智能天线系统等。微波单片集成电路技术(MMIC)是实现微......
随着微波通信技术的迅速发展，人们对通信设备的要求也越来越高。体积小、重量轻，可靠性高、稳定性好等优点使得微波单片集成电路......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
电子战与光传输系统是宽带微波单片集成电路(MMIC)的重要应用领域.传统的宽带设计技术和以它为基础的各种综合设计技术普遍用于宽......
被设计成12位ADC用高速驱动器的AD8137,能控制SPDTGaAs(砷化镓)FET-MMIC(微波单片集成电路)开关和PIN二极管射频(RF)开关,因而是常......
叙述了基于GaAsHBT的直接耦合级联形式,设计制造的几种微波单片集成电路，包括2.5Gb/s跨阻放大器、3GHz可级联放大器和10Gb/s跨阻放......
对运用微波单级功率放大器的原始技术方案进行了一系列的回顾,并且研究了其存在的优点以及缺点,对于效率指标的典型电路拓扑和兼顾......
在前期对GaAs微波单片集成电路负阻压控带通有源滤波器进行理论及实验研究的基础上 ,针对国内工艺技术的特点 ,提出了提高其性能的......
使用国产SiC衬底的GaN HEMT外延材料实现了大功率、高效率的GaN HEMT器件,建立了大信号模型,利用ADS软件建立了GaN MMIC的拓扑,仿......
基于InGaP-GaAs HBT工艺设计了一款Ku波段推-推式压控振荡器(VCO)微波单片集成电路(MMIC)。采用改进的虚地反馈法对基本振荡单元的......
微波单片集成电路和射频集成电路频率和集成度的提高使设计复杂化,对计算机辅助设计的依赖性更强,元器件行为的精确描述和仿真器的......
基于0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款K波段MMIC接收机,频率覆盖19～26 GHz。在单个芯片内集成了平衡式低噪声放大器、本振驱动放......
报道了一种用于卫星通讯系统,基于0.5μm栅长增强型赝配高电子迁移率晶体管的两级级联微波单片低噪声放大器.采用集总参数元件来缩......
相控阵天线广泛应用于雷达、通信、导航等领域。有源相控阵天线的收发通道采用了大量的收发组件(T/R module)。幅相控制多功能芯片......
为了满足毫米波雷达或通信系统对更高发射功率的需求,基于65 nm Bulk Si CMOS工艺制程设计了一款Ka频段功率放大器。该功率放大器......
对不同时代的单片微波集成电路(MMIC)的器件工艺发展和应用发展状况进行概况总结,并结合当前的研究与应用热点,重点分析以砷化镓(G......
基于0．25μm PHEMT（赝配高电子迁移率场效应晶体管）工艺，给出了一款毫米波MMIC（单片集成电路）低噪声放大器。放大器设计中采用了三级级联......
本文综合考虑影响合成效率的因素以及工艺精度,设计了一种混合环功分/功合网络,改善了驻波比和幅相特性,保证了良好的合成效率。基......
采用0.5μm Ga As PHEMT工艺设计了一款工作于2.7GHz~3.5GHz的3bit数控衰减器芯片,经过测试通态插入损耗<0.7d B,最大衰减量5.6d B......
使用微波单片集成电路(MMIC)做成的宽带射频放大器具有工作频率高、频率范围宽、外接元件少、高频性能好等优点,已广泛用作有线电......
综述了国外近年来提出、实施或实现的各种毫米波电扫描技术，并指出我国发展毫米波电扫描装备应该注意的五个方面，即：新的电扫描原理；新......
