论文部分内容阅读
作者用溶胶凝胶发制备了(100)和(111)取向生长的PbZrO3 薄膜,通过改变烘胶温度来调控薄膜的取向生长.同时研究了薄膜的介电和铁电特性,其中旋涂三层的PbZrO3 薄膜获得了较大的储能密度25.25 J/cm3,储能效率达到62％.最后通过椭偏仪研究了PbZrO3 薄膜的光学特性.
锆酸铅基反铁电材料铁电储能与介电弛豫特性研究
【摘 要】
：
作者用溶胶凝胶发制备了(100)和(111)取向生长的PbZrO3 薄膜,通过改变烘胶温度来调控薄膜的取向生长.同时研究了薄膜的介电和铁电特性,其中旋涂三层的PbZrO3 薄膜获得了
【机 构】
：
物理与光电工程学院,广东工业大学,广州,510006
【出 处】
：
第十六届全国电介质物理、材料与应用学术会议
【发表日期】
：
2016年7期
其他文献
自第一个钙钛矿铁电体—钛酸钡陶瓷被发现七十年来，已有几百种钙钛矿和类钙钛矿铁电材料被人们开发出来，它们在压电传感器和致动器、铁电存储器、高介电储能器件和半导体压
在过去的十年中，人们把多种功能薄膜材料(如钙钛矿锰氧化物、铁氧体、铁磁金属和合金等)生长在PMN-PT 铁电单晶衬底上，通过对PMN-PT 施加沿厚度方向的电场可以有效地调控薄
通过传统固相法制备(Ni0.5Nb0.5)0.005Ti0.995O2 陶瓷,合理优化制备工艺成功的获取介电常数大于104,介电损耗在较宽的范围内低于0.2 的巨介电陶瓷.EDS,XRD 结果表明掺杂
采用固相反应法制备Li2SnO3 陶瓷,研究了MgO 掺杂对Li2SnO3 陶瓷相结构、显微结构和微波介电性能的影响。结果 表明：随MgO 掺杂量增加,Li2SnO3 相含量减少,当x 大于5 wt％时
铁电薄膜内部具有来源于自发极化或电畴壁的内建电场，可以实现电子-空穴对的有效分离，并获得远高于其禁带宽度的开路电压，即反常光伏效应。但钙钛矿铁电材料的禁带一般较大，
Ln(Mg1/2Sn1/2)O3(Ln=La,Nd,Sm,Y,Pr 等稀土元素)双钙钛矿陶瓷是有着a-a-c+倾斜体系的B位有序的单斜晶体,其空间群为P21/n.本文采用传统的固相合成法制备了Ln(Mg1/2Sn1/2
会议
We performed high resolution x-ray diffraction structural investigations on PIN-PMN-PT crystals near MPB for various electrical and thermal histories.
锆钛锡酸铅镧(PLZST)反铁电材料，具有介电损耗低，居里温度高，热释电性能优异和场诱导相变行为丰富等特点，使其在红外热释电探测器、制冷器件、智能材料等领域有广阔的应用前
科学技术迅猛发展，很多电子设备对压电陶瓷材料的性能要求越来越高，如高居里温度、大功率、高频稳定性等.BiFeO3 基铁电陶瓷材料具备高温高压电性能.
会议
(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(PMN-xPT)弛豫铁电单晶由于其优异的压电与机电耦合性能，在压电驱动与超声换能等领域具有极其广阔的应用前景。其高压电性与准同型相界(MPB