【摘 要】
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通过增加InGaAs中的In组分,可以扩展InGaAs探测器的截止波长至2-3 μm波段.该波段包含了丰富的信息,在空间遥感及光谱分析方面具有重要的应用价值[1].InGaAs材料在In组分0.53
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050
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通过增加InGaAs中的In组分,可以扩展InGaAs探测器的截止波长至2-3 μm波段.该波段包含了丰富的信息,在空间遥感及光谱分析方面具有重要的应用价值[1].InGaAs材料在In组分0.53时与InP衬底匹配,当In组分更大时具有比InP更大的晶格常数.例如,In0.83Ga0.17As探测器的截止波长约为2.6μm,但其与InP衬底的晶格失配度高达+2.1％.为获得较好的材料质量和器件性能,在In0.83Ga0.17As吸收层和InP衬底间的缓冲层显得尤为重要.在之前的研究中,连续或步进递变缓冲层也已用于扩展波长InGaAs探测器结构.在本工作中,我们研究了阶跃加连续递变缓冲层的缓冲效果,分析了不同初始In组分的缓冲层对扩展波长InGaAs探测器结构的材料和器件性能影响.
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