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磷吸杂是减少多晶硅中有害金属杂质的一种有效手段，本文比较了三种磷吸杂工艺对两种质量硅片的体寿命变化，及其电池性能的影响。实验结果表明，对于不同质量的硅片，磷吸杂后较差片源的体寿命加了28.5μs，是好硅片吸杂后寿命增加幅度的两倍。对于质量较差的硅片，磷吸杂对大晶粒硅片影响较大;电池片的LBIC测试图显示，吸杂后大晶粒硅片的长波响应优于小晶粒硅片;IV测试结果显示，不管怎样扩散吸杂，都不能提高硅片的效率。