【摘 要】
:
侧向喷流控制利用侧向喷流产生的反作用力和喷流与主流的气动干扰所形成的干扰力实现对飞行器的快速有效控制.针对两种常见的有翼/无翼正常式布局导弹外形,通过求解三维Navier-Stoke方程进行侧向喷流与超声速来流的复杂干扰流动数值模拟,研究了不同的喷口位置、来流马赫数和来流攻角对两种外形导弹的喷流干扰流场结构、压力分布特性和导弹喷流干扰特性的影响,为导弹气动外形和控制系统的设计提供参考.
【机 构】
:
上海机电工程研究所,上海201109
论文部分内容阅读
侧向喷流控制利用侧向喷流产生的反作用力和喷流与主流的气动干扰所形成的干扰力实现对飞行器的快速有效控制.针对两种常见的有翼/无翼正常式布局导弹外形,通过求解三维Navier-Stoke方程进行侧向喷流与超声速来流的复杂干扰流动数值模拟,研究了不同的喷口位置、来流马赫数和来流攻角对两种外形导弹的喷流干扰流场结构、压力分布特性和导弹喷流干扰特性的影响,为导弹气动外形和控制系统的设计提供参考.
其他文献
基于GaN材料制备的AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)由于有着高浓度的二维电子气(2DEG)以及高电子迁移率,在新一代高频、大功率器件中有着突出的应用优势.
高Al组分的P型AlGaN在紫外探测器、紫外LED等光电子器件中具有普遍的应用.但实现高电导性的P型AlGaN,依然是现在需要解决的难题.在GaN中Mg的激活能达到160meV,在AlN中激活能在0.5-0.6eV之间,这决定了在常温下只有大约1%的Mg杂质可以被激活,得不到高的空穴浓度和良好的电导性能.
Ⅲ-Ⅴ族稀铋(bismuth,Bi)半导体能隙收缩系数大、辐射波长温度敏感性低和自旋-轨道(spin-orbit,SO)耦合强等特性[1],在近红外探测和发光领域具有重要的应用价值.
氧化铟是一种宽带隙半导体材料,具有高的可见光透过率和高的单晶体迁移率,这些特点使得In2O3在制作高性能TFT方面具有很大优势.而ZnO薄膜由于存在氧空位和锌填隙的缺陷,使得室温下很难生长出高结晶质量的薄膜,因此我们采用单纯的In2O3薄膜作为有源层.用热氧化的方法在P型硅上生长一层200nm厚的SiO2作为绝缘层,然后通过射频磁控溅射技术室温下生长一层50nm的In2O3薄膜,采用热蒸发金属Al
从能量守恒角度,利用傅里叶分析方法,研究了离散形式下对流项和黏性项对动能变化的不同作用,指出了在对流项处理得当的条件下,黏性项的计算偏差是导致计算失稳的主要原因,并提出了利用人工黏性弥补这一计算偏差的方法.以四阶中心基本离散格式为例,说明了八阶人工黏性施加方法,人工黏性项含有一个可调参数,这个参数可以根据基础格式计算出的耗散与真实耗散的偏差确定出最大值与最小值,也给出了确定最优参数的准则.
ZnO-基半导体,包括ZnO,MgO,CdO及其三元合金半导体,以其宽可调的直接带隙(ZnO的带隙在300K时为3.3eV)、高的激子结合能(在ZnO体材料中激子结合能达60 meV)及其它的优点(易于生长为各种纳米结构,具有生物兼容性等),成为近年来半导体物理与器件研究等方面的热点之一[1].
对用AlN/GaN超晶格作为势垒的高等效铝组份AlGaN/GaN异质结构(准异质结构)界面处产生的二维电子气在低温和强磁场下进行了磁输运性质研究.
将相场(phase field)模型应用到液滴热毛细迁移中.相场模型基于扩散界面方法,通过引入一个相场参数来追踪界面,相场参数代表各个位置上的流体的相(母液中为1,液滴中-1,界面处连续变化).模型中流场信息通过Navier-Stokes方程确定,温度场通过对流扩散方程确定,相场参数由求解Cahn-Hillard方程确定.所有方程采用Chebyshev-Galerkin伪谱方法离散求解.验证了相场
随着对自主游动的计算物理模型发展,认识到若不采用自主推进模型来研究蝌蚪的推进将存在破坏"鱼-水"封闭系统的动量和动量矩守恒,而自主游动的流场完全不同于非自主游动的流场.因此,采用二维自主推进的计算物理模型来研究蝌蚪的推进机理.
采用大涡模拟方法计算了来流马赫数为0.7、雷诺数为4×105的方柱绕流.计算结果和已有的实验数据进行了定量对比,结果表明当前计算结果具有较好的可信性.基于对流场中复杂流动物理现象的分析,研究了有关的流动物理机理,如激波/尾迹相互作用、沿剪切层的声波传递、尾迹区局部超声速区演化机理,等等.