【摘 要】
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本文着重探讨了用于90纳米技术的等离子氮化超薄栅氧化层(Plasma nitridated Oxide)的特性.研究了超薄栅氧化层(EOT=1.5纳米)中氮的含量对于器件特性的影响.从超薄栅氧化层比
【出 处】
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第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
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本文着重探讨了用于90纳米技术的等离子氮化超薄栅氧化层(Plasma nitridated Oxide)的特性.研究了超薄栅氧化层(EOT=1.5纳米)中氮的含量对于器件特性的影响.从超薄栅氧化层比较的结果中,可以看出等离子氮化超薄栅氧化层在有效沟道迁移率,栅漏电流等方面显示其优越性,并在适当的工艺条件下,提高了超薄栅氧化层的在SILC,TDDB和NBTI方面的可靠性.
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