器件特性相关论文
在现代工业自动化迅速发展的今天,应用在工业设备、航空航天、电动汽车和家用电器等领域的电力电子变换器逐渐向高功率密度、高效......
基于蓝宝石衬底的GaN基LED(C-LED),以及由激光剥离技术(LLO)制作的基于Cu衬底的相同电学结构的薄膜GaN基LED(LLO-LED)被制备出来。......
本文介绍了具有肖特基正向特性和PN结反向特性的新型整流器—混合PiN/Schottky二极管(MPS).理论分析了该器件的正向导通、反向阻断......
蒙特卡罚方法作为适于研究热电子效应及量子效应对半导体器件影响的一种半导体器件计算机模拟方法,应用日益广泛.本文介绍了蒙特卡......
在过去的十多年,InAs/GaSb Ⅱ类超晶格已经得到了迅速的发展,性能优良的大面阵超晶格红外探测器焦平面已经相继报导,不过,目前InAs......
90年代初，随着1200V的IGBT（门极绝缘双极型晶体管）模块的成熟和批量生产，首次应用于铁路动车──德国法兰克福R型城市铁路低地板电力动......
提出一种在光波导上集成石墨烯的新原理分光器件,采用十字结构波导,且使用可扩展的串联形式进行分光,并设计了耦合结构,此分光器件......
本文报道了薄膜ＳＩＭＯＸ／ＳＯＩ材料上全耗尽ＭＯＳＦＥＴ的制备情况，并对不同硅膜厚度和不同背面栅压下的器件特性进行了分析和比较．实验结果表明，全耗尽器件完全......
本文详细叙述了ＤＦＢ激光器的设计要点和新的工艺。采用一级全息光栅和二步液相外延法批量研制出高稳定单纵模工作的１．５５μｍ分布反馈激光器（ＤＦＢ—......
由化合物半导体制备的发光二极管(Light-emitting diodes,LEDs)和激光管(Laserdiodes,LDs)目前已达到了相当成熟的水平,但在生产工......
采用非对称五层光波导模型，分析了光纤布拉格反射滤波器特性，讨论实现窄带和宽带高反射滤波器的结构参数．文中报道关于光纤布拉格反射......
文章叙述了高速高压光电耦合器的工作原理、制作工艺、器件特性以及设计考虑。
The article describes the working principle, m......
介绍标准ＩＣ工艺与使用ＫＯＨ或ＥＤＰ（乙二胺－焦儿苯酚混合物）进行本体微机械加工的集成方法。钼被用作最终金属化材料是因为它具有耐ＫＯＨ或ＥＤＰ腐蚀的本领。......
业余电子制作中如果对元器件特性有全面的了解,可以就地取材废物利用,节省资金,收到事半功倍的效果。下面仅举几例。 1.单结晶体......
为提高采用ＨｇＣｄＴｅ晶体的自积分型红外探测元件的性能，探讨了晶体生长技术、器件工艺技术和器件的特性评价技术等。在晶体特性和器件特性等......
本文研究７７Ｋ下薄栅ＮＭＯＳＦＥＴ在Ｆ－Ｎ均匀电子注入时栅氧化层对电荷的俘获特性．发现沟道区上方栅氧化层将俘获净正电荷，使阈值电压下降；而栅边缘氧化层对......
推荐一种新的高分辩率多晶硅ＴＦＴＬＣＤ的象素设计。推荐的象素单元含有双栅多晶硅和双层存贮电容。为了减小象素尺寸而不必牺牲图象的亮度，双......
研究了快速热退火对应变ＩｎＡＳ／ＩｎＰ单量子阱（ＳＱＷ）结构光学性质的影响。样品经最佳条件７００℃ｔ，５ｓ的快速热退火，８Ｋ温度下量子阱的荧光强度增加了４倍，量子阱荧光峰......
利用改进的非对称六层波导模型，分析了光纤布拉格反射滤波器的特性，讨论了波导结构参数主要是高折射率层的厚度对器件特性的影响，指出......
对a-Si:HTFT有源矩阵的一些关键制造工艺进行了研究。研究了Ta2O5／a－SiNx双绝缘层的制备技术，提出了一种新的双有源层结构a－Si:HTFT来......
ＨＣＳ３００是美国Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ公司推出的滚动码发生器，具有小封装、低成本、高保密性等特点，可广泛应用于各种保密领域。文章就ＨＣＳ３００的器件特性、主要应用领域，加......
建立了一种新的功率ＭＯＳＦＥＴ等效电路，以便利用先进的电路模拟软件ＰＳＰＩＣＥ对功率ＭＯＳＦＥＴ所有特性进行模拟和分析．对ＩＲ公司的各类ＨＥＸＦＥＴ进行的模拟结果与其数据手册中......
交流等离子体显示板（简称ＡＣＰＤＰ）的显示像元的放电是通过气体作为耦合介质，电极间是通过电介质作为耦合介质的，因而属于容性结构，放电较为复杂......
平衡器件的应用日益广泛,其原因是它们具有较低的安装费用、较高的阻抗、较低的功耗以及可接受的EMC/EMI特性。以前,测试平衡元件......
本文描述了一种微电子工艺制造中的切割曝光技术，用这一技术在一台Ｇ线投影曝光机上制备出深亚微米图形．由此进一步研制成功０．２５μｍＰ＋多晶硅栅......
介绍了单管 ５ Ｗ 大栅宽多胞微波砷化镓 Ｍ Ｅ Ｓ Ｆ Ｅ Ｔ 器件的优化设计、关键工艺技术的创新、器件特性测试等，特别是器件具有高反向击穿电压......
本文描述了改进的 Fukui法 .利用改进的 Fukui法可以精确地测量 Ga As MESFET的栅极串联电阻 .实测结果表明 ,漏 -源电阻的测量受......
介绍了ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ 二维数值模拟器的设计过程。耦合和非耦合相结合的迭代方法提高了收敛稳定性和计算效率。考虑了两种载流子的连续性方程及......
本文研究了固定漏电压、栅脉冲ＡＣ应力条件下ｎＭＯＳＦＥＴ’ｓ器件特性的退化情况．不同高低电平栅脉冲的应力实验结果表明，ＡＣ热载流子应力条件下器件特性......
短沟道效应是小尺寸ＭＯＳＦＥＴ中很重要的物理效应之一，凹槽栅ＭＯＳＦＥＴ对短沟道效应有很强的抑制能力。通过对凹槽栅ＭＯＳＦＥＴ结构、特性的研究，发现凹槽拐角对凹......
本文介绍了PTC器件及PTC器件的特性，从系统内缺陷的产生、分布及属性方面分析了钛酸钡晶界处产生势垒的原因，进一步分析了PTC特性的......
本文介绍一种采用载流子总量方法分析SOIMOSFET器件特性及热载流子效应的数值模型。使用专用模拟程序LADES7联解器件内部二维泊松......
本文在分析ＦＤＳＯＩＭＯＳＦＥＴ特殊物理结构的基础上提出了一个新的适用于深亚微米器件的强反型电流物理模型．模型包括了大部分的小尺寸器件效应如迁移......
叙述了动态应力下MOS器件和电路的热载流子效应及可靠性研究进展。对当前MOS电路中的动态应力热载流子退化现象及其物理机制进行了......
提出并研制了混合结构的闭环光纤陀螺系统。详细分析了该系统的结构特点、信号检测方法以及反馈信号对系统的影响。该系统具有低损......
基于有限差分法开发了一个 Gex Si1-x合金基区异质结晶体管 (Gex Si1-x HBT)模拟器GSHBT。通过解释一组输入语句 ,GSHBT可模拟任意......
分析了槽栅器件中的热载流子形成机理 ,发现在三个应力区中 ,中栅压附近热载流子产生概率达到最大 .利用先进的半导体器件二维器件......
在开关电源中,电压、电流波形均为突变的脉冲状态,元器件所承受电压或电流除加在元器件上的供电电压以外,还有电路中电感成分引起......
上个世纪50年代,由于锗(Germanium)材料具有较高的载流子(电子和空穴)迁移率,比较容易实现高频性能,因而成为半导体材料的主流。......
High-k材料是指介电常数k高于SiO2的材料。使用high-k材料做栅绝缘层,是减小MOS器件栅绝缘层直接隧道击穿(DirectTunneling,DT)电......
提出了一种新的建立集约模型的方法 ,即栅电容修正法 .此方法考虑了新型效应对栅电压的依赖关系 ,且可以对各种效应相对独立地建模......
