【摘 要】
：
本文报道纳米硅P层对n-i-p型非晶硅(a-Si:H)电池性能特别是开路电压(Voc)的影响。Raman散射和透射电镜(TEM)分析表明，这种P层是复相结构材料，由尺寸3-5nm 的纳米晶粒镶嵌于非晶硅网络中构成。光学透视测量表明，由于量子尺寸效应，纳米硅P层具有宽的能带隙（1.96 eV）。利用这种P 层，n-i-p a-Si:H太阳能电池的性能得到改善，其Voc达到1.042V, 而利用微晶硅
【机 构】
：
中科院半导体所 Department of Physics and Astronomy,Unive
论文部分内容阅读
本文报道纳米硅P层对n-i-p型非晶硅(a-Si:H)电池性能特别是开路电压(Voc)的影响。Raman散射和透射电镜(TEM)分析表明，这种P层是复相结构材料，由尺寸3-5nm 的纳米晶粒镶嵌于非晶硅网络中构成。光学透视测量表明，由于量子尺寸效应，纳米硅P层具有宽的能带隙（1.96 eV）。利用这种P 层，n-i-p a-Si:H太阳能电池的性能得到改善，其Voc达到1.042V, 而利用微晶硅P层，在其它制备条件不变的情况下，a-Si:H太阳能电池的Voc只有0.526V.
其他文献
为了解决目前太阳电池封装材料易老化、变黄，从而大幅度降低电池效率的问题，本实验以含33％VA 的EVA 为聚合物基体，通过熔融共混法添加各种助剂，得到改性EVA；再通过热压而制得EVA 胶膜B-1、B-28、B-33 和B-34。测定和分析了各个样品在100℃热氧老化过程中的透光率、黄度指数的变化，以及EVA 膜与太阳电池下盖板材料Tedlar 的粘合强度，结果表明，B-28 的抗热氧老化性能以及
当前，人们随身携带的电器越来越多，这些产品的电力主要靠电池提供。由于价格高，使用不方便，非常有必要寻找一种小能源系统作为电池的代替品。本文对集成光伏小系统的设计与选材，性能测试以及经济性进行了研究与探讨.通过多方面的分析，能够发现集成光伏小系统应用于便携电器，在一定条件下是一个不错的选择。
近空间升华技术制备CdTe 多晶薄膜中，薄膜的结构、性质决定于整个沉积过程。深入研究沉积过程中的热交换、物质输运，有助于制备薄而致密的具有进行良好光电性质CdTe 薄膜。本文首先分析了近空间沉积的物理机制，然后测量了近空间沉积装置内温度分布，讨论了升温过程、气压与薄膜的初期成核的关系，优化升温过程，在此基础上制备出了转换效率为6.46﹪的结构为SnO2:F/CdS/CdTe/Au 的集成电池。
本文描述了单室、双结平行基片太阳电池制造技术、关键工艺参数以及大面积（600mm×1200mm）非晶硅薄膜太阳电池的电性能，并阐述了非晶硅太阳电池在多发电方面的优越性。
半导体白光LED作为一种固体光源，是本世纪最有希望取代传统光源成为人类未来节能照明的主流光源。太阳能半导体路灯是太阳能光伏发电与半导体节能照明的完美结合，作者结合自己参与的太阳能LED路灯示范工程，就太阳能LED路灯的设计、安装、使用过程作了描述和讨论，指出了它的重要应用意义。
相变域非晶硅薄膜由于兼具稳定性和高光敏性成为光伏领域的研究热点。迁移率寿命乘积（μτ）反映材料的输运特性,是硅薄膜材料的重要参数。本文从μτ的角度，分析了相变域硅薄膜的稳定性及光电特性。结果表明随着微晶成分的增大，材料的μτ值增大，与典型非晶相比，相变域硅薄膜的μτ值增大了2－3 个数量级。光致衰退实表明，24 小时光照后，相变域硅薄膜的μτ值几乎不变。说明此区域硅薄膜具有较好的稳定性。
本文采用AMPS 软件结合相关试验参数对III/V 族的AlxGa1-xAs 类太阳电池中渐变带隙结构进行了计算模拟，研究了具有渐变带隙结构太阳电池的普遍规律和特点。一方面，带宽的递增或递减构成的势垒可以形成附加电场，帮助少子收集，增加少子寿命；另一方面，渐变后的带隙会影响实际光谱的吸收效率，使得总的载流子产额以及可利用部分发生变化，总结出带隙的渐变结构对载流子实际产生、收集等情况有着多方面的调制
本文简述了薄膜电池的优势、非晶硅太阳电池的特点、比较了不同的制造技术、通过比较阐述了平行基片制造技术是降低生产成本的有效手段之一。
为了研究微晶硅薄膜的生长机制，本文采用热丝化学气相沉积（HWCVD）制备一系列不同生长阶段的微晶硅（μc-Si:H）薄膜，用原子力显微镜（AFM）系统地研究表面形貌的演化。通过分形理论分析均方根表面粗糙度δ与薄膜厚度d 的关系：δ~dβ，动力学标度因子β与生长机制相关。结果表明在沉积气压为5pa 时，对于玻璃衬底β=0.5。而对于Si(100)衬底分成两个生长阶段，在薄膜形成早期（d<10nm）β
本文介绍一个测量两结叠层电池中的子电池（顶电池，底电池）的I-V 特性的新方法。这个测量方法是由美国Toledo大学物理系的Dr. Xunming Deng 提出来的。测量的样品是a-Si/a-GeSi 两结叠层电池。本方法的特点是，同时采用两束不同波长的光照射电池，测量叠层电池在不同光照条件下的的开路电压Voc，短路电流Isc，和I-V曲线，通过计算，可以获得特定光照条件下叠层电池中的顶电池或底