【摘 要】
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利用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)制备了一系列微晶硅(μc-Si∶H)薄膜.研究分析了功率密度、硅烷浓度和气体流量在较高沉积气压(500Pa和600Pa)下对薄膜生长速率
【机 构】
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郑州大学物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,河南 郑州 450052
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利用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)制备了一系列微晶硅(μc-Si∶H)薄膜.研究分析了功率密度、硅烷浓度和气体流量在较高沉积气压(500Pa和600Pa)下对薄膜生长速率、结晶状况和电学特性的影响。研究表明:在高压强条件下,硅烷浓度和气体流量对沉积速率影响显著,而功率密度影响较弱；高沉积速率生长的薄膜孵化层较厚；电学特性较好的薄膜位于非晶/微晶过渡区.经过工艺的初步优化,在高压强(600Pa)条件下,使微晶硅薄膜的沉积速率提升到2.1nm/s。
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