【摘 要】
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本文采用了一种非真空法制备ITO 薄膜。将In-Sn 合金颗粒制备成为墨水，采用旋涂，涂覆等方法制备成预置膜，再退火烧结形成ITO 薄膜。通过SEM，透过率，方块电阻等参数的表征，发现制备
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江大学材料系
【出 处】
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中国可再生能源学会2011年学术年会
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本文采用了一种非真空法制备ITO 薄膜。将In-Sn 合金颗粒制备成为墨水，采用旋涂，涂覆等方法制备成预置膜，再退火烧结形成ITO 薄膜。通过SEM，透过率，方块电阻等参数的表征，发现制备的ITO 薄膜在透过率和方块电阻上可以与一般的ITO 相当，通过改善预置膜制备和烧结工艺，有望应用于全非真空法制备薄膜太阳电池中。
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