【摘 要】
:
新疆某铁矿主要为褐铁矿,该矿含泥含水大且可选性差。研究采用浮选、磁选和磁化焙烧等选矿方法进行试验研究。试验表明,在原矿品位24.05%的情况下,磁化焙烧工艺可获得铁精矿品位在55.29%左右,回收率70.37%左右的技术指标。
论文部分内容阅读
新疆某铁矿主要为褐铁矿,该矿含泥含水大且可选性差。研究采用浮选、磁选和磁化焙烧等选矿方法进行试验研究。试验表明,在原矿品位24.05%的情况下,磁化焙烧工艺可获得铁精矿品位在55.29%左右,回收率70.37%左右的技术指标。
其他文献
高效晶硅电池(如PESC,PERL等)需要热生长二氧化硅膜作为表面钝化层,用以降低表面的复合速率。适当降低氧化层的厚度可以提高电池的电流密度,并且大规模生产需要时间相对较短的工艺和较简易的操作流程。因此,与链式扩散方式相近的链式氧化成了我们可以探索的一个课题。本文讨论了不同氧化温度、氧化时间以及硅片在炉中的摆放方式等对氧化后少子寿命的影响和对电池表面开压的影响。
本文采用射频磁控溅射方法制备AZO/Ag/AZO复合膜,利用紫外可见红外分光光度计和四探针测试仪,研究AZO膜制备工艺(沉积气压、射频溅射功率、氧流量和ZnO靶材的Al2O3掺杂浓度)对AZO/Ag/AZO复合膜光电性能的影响,得出优化的复合膜制备工艺。优化后的复合膜品质因子比普通AZO单层膜的品质因子高出了一个数量级,约为1.7×10-2Ω-1。
在测量太阳电池的外量子效率(EQE)时,加入偏置白光可以减小由陷阱带来的误差。本文研究太阳电池EQE与光生载流子浓度和开路电压之间的关系,从理论上解释偏置白光强度对测量结果的影响。并且测量入射单色光波长为500nm至1050 nm,晶体硅太阳电池在不同偏置光源强度下的EQE。理论结果与实验结果符合较好,该结论对提高太阳电池外量子效率测试的准确性具有一定指导意义。
本文采用严格耦合波理论(Rigorous coupled-wave analysis,简称RCWA)解释了纳米结构减反射膜的极低减反射特性。在对柱状结构的新型减反射薄膜进行计算机模拟的基础上,分析了各种参数对反射率曲线的影响,定性地对反射率曲线进行了解释,并优化了新型减反射膜的设计。使用超高真空电子束蒸发镀膜机制备纳米SiO2减反射膜。通过一系列的实验,改变不同的实验条件得到不同的样品。利用SEM
本文研究了低衰减太阳电池硅单晶的几种制备方法,并比较各种方法对降低电池光致诱导衰减的效果,同时探讨了这些制备方法对硅片电阻率,太阳电池转化效率的影响。
选择性发射极(SE)技术是各类高效电池的基础技术,同时也是降低每瓦单耗的有效手段。本文主要评估了以SiNχ作为扩散阻挡层的基于丝网印刷的SE电池技术,通过在SiNχ上印刷腐蚀性浆料,经两次扩散形成SE结构。在分析中,采用量子效率测试表征电池短波响应;采用Suns-Voc测试表征电池扩散结特性;采用WT-2000跟踪制程中体寿命的变化。结果表明,以SiMχ为阻挡层的SE技术能有效地提高电池效率,且具
作为制备选择性发射极太阳电池的主流技术之一,自对准的光诱导电镀技术以其不受栅线宽度限制的优点,越来越受到太阳电池产业界的重视。然而,应用这种技术之前,需要在电镀区域去除SiO2,在非电镀区域保留SiNχ:H掩模,否则就会出现花片现象。花片增大了遮光面积,影响了电池性能,是光诱导电镀普遍存在的技术难题。本文分析了HF刻蚀SiO2和SiNχ:H的机理,从键能角度研究了选择性刻蚀的可行性。通过添加适量的
本文采用PECvD技术沉积本征非晶硅薄膜,研究少子寿命随本征层厚度、沉积气压、射频功率、氢稀释度以及硅片清洗工艺的变化规律。结果表明:本征层厚度要适中。随着沉积气压、射频功率和氢稀释度的增加,少子寿命均呈现先增大而后减小的趋势。同时,采用HF/O3清洗技术能使少子寿命得到很大的改善。
采用PECVD法在晶体硅太阳能电池表面上镀上一层氮化硅减反射膜,通过数值分析和实验研究的方法讨论了压强、SH4/NH3的比、总气体流量和时间等工艺参数对镀膜速率、折射率和镀膜均匀性及其钝化效果的影响,从而更好的指导及控制太阳能电池的镀膜过程,得到最佳的镀膜工艺。
齐大山地区赤铁矿石包括齐大山赤铁矿石和胡家庙子赤铁矿石。本文介绍了齐大山地区赤铁矿石的矿石性质、现选矿工艺情况,提出了选矿工艺优化完善的建议。