论文部分内容阅读
文章主要介绍了BiS2基超导体,例如BiO4S3和ReO1-xFxBiS2等.材料中的二维BiS2层状结构与铜氧化物超导体以及铁基超导体等非常相似,能带结构计算发现该系统具有很好的网状的费米面拓扑结构,因此短程的磁涨落可能诱导了电子配对从而表现出非常规的超导电性.最终的配对对称性的确认将是非常的即时和重要。笔者从有效的双轨道(two-orbital)微观模型出发，考虑随掺杂演化的三种典型的费米面拓扑结构，应用T―矩阵近似方法计算和分析在不同的电子配对态下由于非磁性杂质诱导的局域电子结构(LDOS)的不同来区分，并确定BiS2基超导体中的电子配对对称性，理论预测有待于进一步的STM实验测量并证实。