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本文采用等离子增强气相沉积法(PECVD)与退火热处理相结合制备得到了SnO2多晶薄膜.利用X射线衍射、紫外可见透射光谱等方法研究了SnO2薄膜的微观结构以及光学和电学的性质.结果表明:热处理后的SnO2薄膜,从非晶转化为四方相多晶结构,透过率变化不大,载流子浓度增大.
PECVD法制备SnO2多晶薄膜退火处理后性质分析
【摘 要】
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本文采用等离子增强气相沉积法(PECVD)与退火热处理相结合制备得到了SnO2多晶薄膜.利用X射线衍射、紫外可见透射光谱等方法研究了SnO2薄膜的微观结构以及光学和电学的性质.结果表明:热处理后的SnO2薄膜,从非晶转化为四方相多晶结构,透过率变化不大,载流子浓度增大.
【机 构】
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四川大学材料科与工程学院,四川成都,610064
【出 处】
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第九届中国太阳能光伏会议
【发表日期】
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2006年4期
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