【摘 要】
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通过氨化射频溅射工艺生长的GaO薄膜,在Si(111)衬底上成功地制备出了GaN纳米棒.用场发射扫描电镜(FE-SEM)、X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)对样品的形貌、组分和结构进行了分析.生成的GaN纳米棒尺寸比较均匀,其直径为80~200nm,长1.5μm左右;纳米棒为六方纤锌矿结构,呈单晶相.这是首次报道,在没有催化剂和空间限制的作用下,由GaO薄膜和NH直接反应生长GaN纳米棒.
【机 构】
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山东师范大学半导体研究所化学功能材料实验室(济南)
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通过氨化射频溅射工艺生长的Ga<,2>O<,3>薄膜,在Si(111)衬底上成功地制备出了GaN纳米棒.用场发射扫描电镜(FE-SEM)、X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)对样品的形貌、组分和结构进行了分析.生成的GaN纳米棒尺寸比较均匀,其直径为80~200nm,长1.5μm左右;纳米棒为六方纤锌矿结构,呈单晶相.这是首次报道,在没有催化剂和空间限制的作用下,由Ga<,2>O<,3>薄膜和NH<,3>直接反应生长GaN纳米棒.
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