【摘 要】
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我们采用了直接物理蒸发法制备了直径在50nm以下,在毫米大小区域内均匀分布的高纯度的ZnO纳米线膜层.所得ZnO纳米线大部分沿[0001]方向生长.我们研究了各实验参数对产物的影响,提出了分三步进行的VS生长机制.并应用类似方法制得了金属In纳米线,说明在该VS生长机制中,氧(或氧化物)的存在对纳米线的生长不是必须的.
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我们采用了直接物理蒸发法制备了直径在50nm以下,在毫米大小区域内均匀分布的高纯度的ZnO纳米线膜层.所得ZnO纳米线大部分沿[0001]方向生长.我们研究了各实验参数对产物的影响,提出了分三步进行的VS生长机制.并应用类似方法制得了金属In纳米线,说明在该VS生长机制中,氧(或氧化物)的存在对纳米线的生长不是必须的.
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