【摘 要】
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本文利用电子束诱生电流(EBIC)对定向凝固生长铸造多晶硅中缺陷的电学性能进行了分析.EBIC结果显示铸造多晶硅中晶界和位错的复合特性与晶锭的凝固位置有关.室温下,晶锭中部
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本文利用电子束诱生电流(EBIC)对定向凝固生长铸造多晶硅中缺陷的电学性能进行了分析.EBIC结果显示铸造多晶硅中晶界和位错的复合特性与晶锭的凝固位置有关.室温下,晶锭中部样品中的晶界没有明显的EBIC衬度,而在100K时晶界和晶内缺的衬度明显增强.在晶锭底部(最先凝固)和头部(最后凝固)样品中,晶界在室温下呈现很强的EBIC衬度,并在晶界附近形成洁净区.晶锭凝固过程中的杂质分布以及杂质和缺陷之间的作用,决定了不同凝固位置缺陷的复合特性.
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