【摘 要】
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应用正交试验法对Plasma去钻污和PI调整去钻污工艺进行工艺参数的优化,得到了Plasma去钻污和PI调整液的最佳配比和工艺参数.并应用正交试验法对化学沉铜工艺进行了实验,得到了化学沉铜溶液的优化配方和工艺参数,并使的产品的合格率比原来提高了10％.新研制的Plasma蚀刻工艺和优化配比及工艺参数后的沉铜溶液已经被应用到了生产中,大大提高了产品合格率,节约了成本,创造了较好的经济效益.
【机 构】
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电子科技大学应用化学系 珠海元盛电子科技有限公司技术中心
【出 处】
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2007春季国际PCB技术/信息论坛
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应用正交试验法对Plasma去钻污和PI调整去钻污工艺进行工艺参数的优化,得到了Plasma去钻污和PI调整液的最佳配比和工艺参数.并应用正交试验法对化学沉铜工艺进行了实验,得到了化学沉铜溶液的优化配方和工艺参数,并使的产品的合格率比原来提高了10％.新研制的Plasma蚀刻工艺和优化配比及工艺参数后的沉铜溶液已经被应用到了生产中,大大提高了产品合格率,节约了成本,创造了较好的经济效益.
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